А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

 
ўтишда канал бўлган ҳолда сиртий потенциалнинг катталиги 
сезиларли даражада ясси транзисторнинг коллектори тескари токини
аниқлайди
.
2)
р-n- ўтиш тескари токининг дрейфи (дайдиши) кузатилади, 
бинобарин, коллектор токининг (сирт яқинида ўтишнинг кучли 
майдонида заряд ташувчилар кўпайиши билан боғланган) дрейфи ҳам 
кузатилади. 
3)
Тешилиш кучланиши коллектор яқинидаги соҳанинг сиртий 
потенциалига боғлиқ ва ҳажмда тешилиш кучланишидан анча кичик 
бўлиши мумкин.
4)
Сиртий потенциал ўзгарганда сиртий рекомбинация тезлигининг 
ўзгариши билан боғлиқ равишда яримўтказгичли транзисторнинг 
токни ўтиш коэффициенти дрейфи юз беради. 
5)
Транзистор импульс режимда ишлаганда транзисторнинг “тўкилиш” 
эффекти 
кузатилади, 
бунда 
асбоб 
паст 
частоталарда 
ишга 
тушмайди.Бундан ташқари қисқа импульсларда сиртий тешилиш 
эффекти ҳам кузатилади.

---

79 
6)
Яримўтказгичли қурилмаларнинг 1/f шовқинлари сиртга ишлов 
берилишига боғлиқ бўлади. 
7)
Фотодиодлар ва фототранзисторларнинг қисқа тўлқинлар соҳасидаги 
спектрал ҳарактеристикалари қиёфасини сиртий рекомбинация 
аниқлайди. 
10.2 Сиртий каналлар ва сиртий тешилиш 
 
р-n ўтишнинг тескари токи, маълумки, р-n ўтишдан диффузион 
силжиш узунлигидан катта бўлмаган масофада электрон-квант жуфтлар 
генерацияси(вужудга келиши) билан аниқланади. Бироқ, сув буғлари ва 
бошқалар атмосферасида р-n ўтишнинг тескари токи Шокли назарияси 
башорат қиладиган қийматдан анча катта эканлиги маълум бўлди. Бу ортиқча 
токлар р-n ўтиш яқинидаги сиртда каналлар ҳосил бўлиши билан боғлиқдир.
10.1- расмда сиртда канал йўқлиги (а) ва канал борлиги (б) ҳолларида 
р-n ўтишнинг
ҳажмий заряд соҳаси 
кўтсатилган. Табиийки, р-n 
ўтиш юзининг каттайиши 
ўтиш орқали тескари токни 
орттиради, яъни ортиқча 
ток ҳосил қилади. 
Тажрибада аниқланишича, 
ортиқча токнинг катталиги 
канал узунлигига тўғри