А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

 
 
 
10.3 Токни узатиш коэффициентига сиртий ҳолатлар 
таъсири 
Транзисторнинг умумий базали схемасида токни узатиш коэффициенти

ни ва умумий эмиттерли схемасида ток бўйича кучайтириш коэффициенти 
)
1
(





ни база соҳасида рекомбинация аниқлайди. Базада заряд 

---

81 
ташувчилар 
яшаш 
вақти 
қанча 
кичик 
бўлса, 
базага 
киритилган 
ташувчиларнинг шунча катта қисми рекомбинацияланади, демак, улар 
коллекторга етиб бормайди, 

узатиш коэффициенти камаяди. 

ҳажмдаги 
рекомбинация суръатига ҳам, сиртий рекомбинация 
S
тезлигига ҳам боғлиқ. 

нинг s га боғланиши ифодаси 
,
2
1
2
2
б
р
к
к
э
э
б
L
w
D
S
w
sC
L








(10.7)
бунда w -база кенглиги, σ
b
ва σ
э
- мос равишда база ва эмиттер 
ўтказувчанлиги, L
b 
ва L
э
– база ва эмиттерда диффузион узунлик, 
к
S

кўндаланг кесим юзи, C
к
- рекомбинация эффектив сирти. 

билан s орасидаги боғланиш кузатиладиган

нинг узун тўлқинли 
дрейфи эффектини аниқлайди. 

нинг дрейфи эмиттер токи кескин 
ўзгарганда 
(ток 
дрейфи) 
транзистор 
температураси 
ўзгарганда 
(температуравий дрейф) кузатилади. Иккови эффект ҳам сирт ҳолатига 
боғлиқ. Инжекция сатҳи (эмиттер токи) ўзгарганида токни узатиш 
коэффициенти

ўзининг қандайдир стационар қийматигача секин 
ўзгаради. У сиртнинг ишловига боғлиқ. Дарвоқе, инжекция сатҳи 
ўзгарганида сиртий ҳолатларга ушлаб олинган заряд, демак, сиртий 
потенциал секин ўзгаради. Бу эса s ни ўзгартиради, s нинг ўзгариши

га 
таъсир қилади. Дрейф вақти” секин” сиртий ҳолатлар релаксация вақти 
тартибида бўлади. Агар сиртий тузоқларни (сатҳларни), базани эмиттер 
яқинида кучли ютиладиган ёруғлик билан ёритиб, тўлдирилса, бу ҳолда ток 
бўйича кучайтириш анча катта бўлади. 
Ток 
бўйича 
кучайтириш 
коэффициентининг 
температуравий 
дрейфининг бир неча хили бор . 
1) Агар транзисторни узоқ вақт хона температурасидан юқори 
температурада тутиб турилса, бу ҳолда

ва β нинг секин камайиб 
бориши кузатилади. Бу эффект яримўтказгич (масалан Ge) сиртнинг 
оксидланиши жараёнига боғланган. Бу

ва β ўзгариши 
қайтмасдир. 
2)
Транзисторни хона температурасига( юқори температурали 
ҳолатдан) совутганда

ва 

параметрларнинг қандайдир 
камайиши кузатилади. Кейин хона температурасида транзисторлар 
сақланганда

ва 

секин ортиб, 5-10 кеча – кундуздан сўнг 
стационар қийматга эришади. Жараён қайтар ва у шундай 
тушунтирилади
: 
қиздирганда оксид қатламдан намлик транзистор 
танаси ичига чиқади. Транзистор кейин совутила бошлаганда оксид 
қатлам намланади, унинг тезлигини оксид парда қалинлиги 
аниқлайди ва у намлик чиқишдаги (дегидратациядаги) тезликдан 
анча кичик бўлади .Бу жараён

ва 

нинг секин дрейфини 
тушунтиради.
 
3) “48 соатли эффект “ ҳам оксид қатламда намлик кўчиши билан 
боғлиқ. Агар 
p
n
p


транзисторни юқори (
0
100
С чамасидаги) 

---

82 
температурада 
бирор 
вақт 
тутиб 
турилса, 
кейин 
хона 
температурасигача совутила борса, 

ва β вақт билан секин 
ўзгаради, бунда параметрларнинг стационар қийматига 48 соат 
ўтгандан кейин эришилади. Температуравий дрейф вақти олдинги 
ҳолдагидек, аммо эффектнинг ишораси тескари. Бу эффект қайтар 
эффект. 

ва

нинг пасайиш вақти оксид қатлами қалинлигига 
боғлиқ эмас.