А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

 
10.4 1/f шовқинлар 
 
Кремний 
ва 
германийдан 
тайёрланадиган 
яримўтказгичли 
қурилмаларнинг ортиқча шовқинлари бор, уларнинг спектри 1/f қонунига 
бўйсунади. 1/f шовқин етарлича катта частоталар оралиғини ишғол қилади. 
Ипсимон Gе намунаси учун 1/f қонун 2,5.10
-4
Гц дан 1 МГц гача оралиқдаги 
частоталар соҳасида қониқарли бажарилади. Бу шовқинлар температурага 
суст боғланган, аммо, кристал сирти ҳолатига боғлиқ бўлади, улар сиртнинг 
ишлови ва атроф атмосферага жуда сезгир. Масалан, р-n-ўтишни сув буғлари 
атмосферасига жойланса, 1/f шовқинлар бир неча тартибга ортиб кетади.
Мазкур шовқинларни тадқиқлаш уларни камайтириш йўлларида олиб 
борилади. Сиртий ўтказувчанлик минимумига мос бўлган сиртий потенциал 
қийматлари соҳасида зоналар анча эгилиши сиртий ўтказувчанликка суст 
таъсир қиладиган ҳолда 1/f шовқинлар энг кам бўлади. суст шовқинлар s(Y
s
) 
боғланиш максимумига мос Y
s 
лар соҳасида ҳам кузатилиши мумкин.
Бойиган қатламдан инверсион қатламга ўтганда шовқиннинг анча ортиб 
кетиши кузатилган. Шовқинларни ўрганиш давом эттирилади. 
10.5. Яримўтказгич асбоблар сиртини барқарорлаш 
 
Транзисторларни ток бўйича кучайтириш коэффиценти юқори бўлиши 
учун базанинг сирти мумкин бўлганича, кичик сиртий рекомбинация 
тезлигига (s) эга бўлиши керак. Сиртий потенциал катталиги унча катта 
бўлмаслиги лозим, чунки, сиртда инверсион қатламларда каналлар ҳосил 
бўлади, кучли даражада жамғарувчи қатламлар ҳолида эса тешилиш 
кучланиши пасаяди. 
Асосий талаб-кристал сиртини атайлаб оксидлаб қалин ва мустахкам 
ҳимояловчи оксид пардаси ҳосил қилишдир. Бу усул кремний асосидаги 
асбоблар тайёрлашда айниқса самаралидир. Кремнийга кислород оқимида 
юқори температурали ишлов бериб, унинг сиртида мустахкам кремний 
оксиди SiO
2
пардасини ҳосил қилинади. Унинг қалинлиги 500 А
о
дан 1 мкм 
гача. Парда сиртни кейинги оксидлашдан сақлайди. Бундай қопламли асбоб 
атроф муҳитдаги ўзгаришларни сезмайди. 
Сиртни асбобни тайёрлашдан олдин оксидласа яхши бўлади. Аммо, 
асбоб тайёрлангандан кейин хам уни оксид парда билан қопласа бўлади. 
Бунинг учун нисбатан паст температураларда тайёр асбоб сиртида оксид 

---

83 
парда олиш учун намунани озон атмосферасида қиздириш ёки хона 
температурасида 
сувсиз 
эритмада 
анодий 
оксидлаш 
усулларидан 
фойдаланилади. 
Яримўтказгичли асбоблар ва интеграл микросхемаларни планар 
технология бўйича тайёрлашда ҳимоявий диэлектрик пардалар (қатламчалар) 
катта рол ўйнайди. 
Ҳимоявий диэлектрик пардаларга қуйидаги асосий талаблар қўйилади: 
бошланғич таглик сиртига диффузияланувчи элементларнинг (бор, сурма, 
арсений ва б.) киришини тўла ҳимоялаш; вақт ўтиши билан кимёвий 
барқарорлик ва турғунлик; бир жинслилик ва нуқсонсизлик; юқори 
солиштирма қаршилик ва электрик мустахкамлик; юқори механик 
мустахкамлик талаблари қўйилади.
Албатта бу талабларни тўла бажарадиган моддани топиш қийин. Бироқ, 
маълум талабларга жавоб берадиган моддалар мавжуд. Ҳозирги замонда 
ҳимоявий диэлектрик пардалар тайёрлашда кремний тўрт оксиди (SiO
2
) ва 
нитриди (Si
3
Ν
4
) кенг қўлланилмоқда.