А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

10.5.3. Қуруқ кислород муҳитида кремний (Si) ни термик 
оксидлаш 
 
Бу 
усул 
юқори 
температураларда ўтказилади ва 
бунда ҳосил бўлган парда юқори 
сифатли ниқоб ҳоссасига эга 
бўлади, 
кремний–оксид 
чегарасида боғланган зарядлар 
кам бўлишини таъминлайди. 
Атмосфера 
босимида 
оксидлаш 
жараёнининг 
температураси 
850
о
-1200
о
С 
оралиғида бўлади. Тегишли
10.2-расм
қурилма (10.2-расмда) тасвирланган. Ишчи зонада температурани 900
о
-1200
о
С оралиғида ўзгартириш мумкин. Печканинг ишчи каналига (4) реактор 
ўрнатилади, 
(3) 
ушлагичга 
пластинкалар 
ўрнатилиб, 
реакторга 
жойлаштирилади. Реакторга (1) қуритгич, (2) фильтр орқали қуруқ кислород 
киритилади ва қуйидаги реакция боради: Si+O
2
→ SiO
2 
оксид ўсиши 
тезлигини температурага ва парда қалинлигига боғлиқлигини турли 
босқичларда назорат қилиш (кузатиш) мумкин. 
Яримўтказгичли асбоблар ва ИМС лар ишлаб чиқаришда юқоридаги 
кўрилган усулларнинг умумлашган кўринишидан иборат 2 ва 3 босқичли 
оксидлашдан фойдаланилади. Термик ўстирилган пардаларнинг чегара 
қалинлиги 1-1,5мкм дан ошмайди. Планар технологияда пардаларнинг 
қалинлиги 0,2-0,8мкм бўлиши кифоя. 
 
 
10.5.4. Кремний оксиди пардаларини пиролитик ўтказиш 
усули 
Бу усул кремний оксиди пардасини (қатламини) ҳар қандай 
материаллардан тайёрланган тагликка ўтказиши мумкин. Унинг зарурий 
афзаллиги шундаки, бу жараён анча паст температурада амалга оширилади. 
1. 
Тетраэтоксисиланнинг 
парчаланиши. 
Бу 
жараёнда 
реакция 
махсулотлари тўғридан –тўғри таглик сиртига ёки алохида камерага 
берилади. Тетраэтоксисилан Si(OС
2
Н
5
)
4 
нинг парчаланиш реакцияси 700-
750
о
С да юз беради. Реакция натижасида SiO
2, 
SiO, СО ва газ кўринишидаги 
органик радикаллар ажралиб чиқади. Агар Si(OС
2
Н
5
)
4 
парчаланиши таглик 
билан бир камерада ўтказилса, унда таглик температураси пиролиз 
 

---

85 
температураси билан бир хил бўлади. Агар парчаланиш реакцияси бир 
камерада, таглик бошқа камерада бўлса, унда таглик температураси пиролиз 
температурасидан анча кичик бўлади. 
2. SiН
4 
силаннинг кислород билан парчаланиш усули. Бу усул кремний 
оксиди пардасини А
III
В
V
ва А
II
B
VI
турдаги яримўтказгич бирикмаларга, 
уларнинг стехиометрик таркибини бузмаган ҳолда, ўтказиш имконини 
беради. Юқори сифатли SiO
2
пардасини олиш учун жараён 150-300
о
С да олиб 
борилади: 
SiН
4 
(газ)+20
2
(газ)→ SiO
2 
(қат)+2Н
2
О (газ) 
Бу жараёнларни ўтказиш учун бошланғич моддалар бўлиб моносилан 
SiН
4
, аргон Аr ёки азот (Ν) ва кислород (О) аралашмасидан фойдаланилади. 
Кучли инерт газ билан аралаштирилган силан (3-10%) ҳолида оралиқ 
температурада SiO
2 
нинг ўтириш тезлиги 10-50 нм/мин. бўлиши мумкин. 
Кислороддан ташқари, оксидловчи сифатида кислородли бирикмалар СО
2 
, 
Н
2
О лардан фойдаланиш ҳам мумкин.
Юқоридаги усулда олинган SiO
2 
пардаси пластинка сирти бўйлаб 
қалинлиги бирдай, кимйвий таркиби барқарор диффузия жараёнини 
ўтказишда яхши ниқоблик ҳоссасига эга, бу пардаларда едириш тезлиги анча 
юқоридир.