А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

 
 
10.5.8. Ҳимоявий диэлектрик пардаларнинг сифатини 
назорат қилиш 
Пардаларнинг асосий кўсаткичлари: 1) парда қалинлиги; 2) қатламдаги 
очиқ тирқишлар; 3) кремний-ҳимоявий парда чегарасидаги нуқсонлар 
миқдори назорат қилинади. 
Яримўтказгичлар 
технологиясила 
диэлектрик 
парда 
қалинлиги 
микротортиш, интерферометр ва эллипсометр усуллари билан аниқланади. 
Микротортиш усули намуна тагликка диэлектрик пардани қопламасдан ва 
қоплагандан сўнг микротортишга асосланган. Ранг (интерференция) усулида 
ҳимоявий парда – таглик сиртига тушувчи оқ нурни тўлдирувчи 
интерференцияга асосланган. Оқ ёруғликнинг маълум бир қисми сўндирувчи 
интерференцияда қатнашиб парданинг сирти бир хил рангда кўринади. 
Сўнувчи интерференция шарти:
2 dn=

2
1
2

к
Бу ифодада d – парданинг қалинлиги, n-парданинг синдириш 
коэффициенти, 

-тушувчи ёруғлик тўлқин узунлиги, к=1,2,3- интерференция 
тартиби. Ранг усули билан парда қалинлигини аниқлашда нисбий хатолик 
10% дан ошмайди. 
Эллипсометрик усулда Si
2
О ва Si
3
Ν
4- 
пардалариннг қалинлигини 
ўлчаш чизиғий қутбланган нурнинг ҳимоявий парда сиртидан қайтишига 
асосланган. Маълум бурчак остида тушган нур қайтишида эллиптик 
қутбланган тўлқин ҳосил бўлади. Ёруғлик манбаи сифатида лазер 
нурларидан хам фойдаланиш мумкин. 
Ғовакларни аниқлаш учун бир неча усуллар қўлланилади. Мисни 
электролитик ўтказиш усулида сиртида Si
2
О вужудга келтирилган пластинка 
мис ионли электролитга жойлаштирилади. Унга манфий потенциал берилади. 
Электролиз жараёнида мис ионлари пластинадаги ғоваклар бор жойларга 
ўтиради. Бу жойларнинг миқдорига қараб парда сифати тўғрисида хулоса 
чиқарилади. 
Диффузион легирлаш усулида яримўтказгич таглик материалга 
диффузия 
жараёнида 
киришмалар 
кириб 
материал 
электрик 
ўтказувчанлигини 
ўзгартиришига 
асосланган. 
Диффузия 
жараёни 

---

88 
ўтказилгандан сўнг парданинг қаерида ғоваклар бўлса, ўша ердан диффузия 
боради, маҳаллий р-n-ўтишлар ҳосил бўлади. Кейин кимёвий парда 
тагликдан кетказилади ва маҳаллий р-n-ўтишлар пардалардаги ғоваклар 
миқдори тўғрисида маълумот беради. 
Электрографик усулда ҳам пардалардаги ғовакларни назорат қилинади. 
Гидрохиноннинг 3-4% ли эритмасидан қўлланган фотоқоғозлар пластинкалар 
сиртига жойлаштирилади. Фотоқоғозли пластинкага иккита металл диск-
электрод қисиб, улар орқали ток ўтказилади. Бу токлар фотоқоғоз 
эмулсиясига ёруғликдай таъсир қилади. 
Пардадаги нуқсонлар миқдори ва ўлчами микроскоп билан аниқланади. 
Диэлектрик-яримўтказгич чегараси ҳолати, ундаги заряд ташувчилар 
зичлиги, сирт потенциали, диэлектрикдаги қўзғолмас зарядлар сиртий 
ҳолатлар зичлиги, қўзғалмас зарядлар турғунлиги, сиртий ҳолатларнинг 
релаксация вақти билан баҳоланади. Бу параметрларни металл-диэлектрик-
яримўтказгич (МДЯ) тузилмалар тайёрлаб, автоматик қурилмаларда волт- 
фарад тавсифларини ўлчаш билан назорат қилинади.