А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

 
10.5.5. Кремнийнинг анод оксидлаш усули.
Бундай оксидлашнинг икки хили мавжуд: кремний (Si) сиртини суюқ 
электролитда оксидлаш ва газ плазмада оксидлаш. 
1. Электролитик анодлаш.
Анод оксидланиши асосан ўзгармас ток 
режимида ўтказилади. Буни амалга ошириш учун керакли шароит яратиш 
керак. Бунда парда қалинлиги ўсиши билан оксидга қўйилган U кучланиш 
чизиғий ортиб боради. Агар оксидда Е майдон бир жисмли бўлса, 


F
EM
J
dt
dx
E
dt
dV


тенглама ўринли бўлади, бунда J – чегара қисмида ток 
зичлиги, М-оксидиннг граммол миқдори, ρ-унинг зичлиги, 

F-бир граммол 
оксид ҳосил қилиш учун керакли электр миқдори, F=9,65Кл/мол - Фарадей 
сони. 
Электролитлар сифатида одатда сув миқдори оз бўлган органик 
эритмалардан фойдаланилади, олий спирт ёки глицеринни қўлласа хам 
бўлади. Электролит ўтказувчанлигини бошқариш учун НΝО
3
, Н
2
РО
4
, ΝаОН, 
ΝаΝО
3
ва бошқаларни киритиш мумкин. Бу бирикмаларнинг анионлари 
оксидловчи ролида электрокимёвий жараёнларда қатнашади. 
2. Кремнийни газли оксидлаш.
Бу усулда электролит ўрнига газдан 
фойдаланилади. Газли анодлаш қалин оксид пардалар олиш учун 
қўлланилади. Юқори частотали майдон билан пайдо қилинган кислород 
плазма манфий зарядланган кислород ионлари манбаи бўлади. Плазмадаги 
кислород ионлари кремний пластиналари билан таъсирлашади. Оксиднинг 

---

86 
ўсиши анод оксидлаш ўтказиш режимига, яъни камеранинг босимига, 
температурага ва плазма зичлигига боғлиқ. 
 
 
10.5.6. Паст температурали ион-плазма ёрдамида 
оксидлаш 
 
Бу усул ҳатто уй температурасида юқори тезликда пардалар олиш 
имконини беради, у яхши бошқарилади, олинган пардалар юқори сифатли. 
Яримўтказгич сирти қисми-оксид ва оксид-ташқи муҳит орасидаги 
тезлантирувчи майдон ўсиши дрейф тезликни орттиради, диффузия 
тезлигининг ортиши эса ўсувчи қатламда заррачалар зичлиги градиентини 
ўстиради. Бу икки омил кислород таркибли плазмада оксиднинг ўсиш 
механизмига таъсир қилади. 
Бу усулда оксидланиш 50-200 Па босимда олиб борилади. Разрядни 
қўзғатиш юқори частотали майдон (2,5 ГГц гача) билан амалга оширилиб, 
разрядда қувват 200 дан то 1000 Вт га ча ўзгариши мумкин. 
Плазманинг ўртача параметрлари: электрон температура 5·10
4
К, 
тагликка нисбатан анод потенциал +35 В, плазма зичлиги ~10
13
эл/см
3
, 
ионланиш даражаси (5-6)·10
-2
%. Кремний пластинка ерга уланган катодга 
нисбатан мусбат потенциал (+50÷+400В) остида туради. Оксид парданинг 
ўсиш тезлиги 8-18 нм/мин.