А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

 
 
10.5.1. Кремнийни термик оксидлаш 
 
Бунда бошланғич кремний (Si) тагликда оксидловчи муҳитда қиздириш 
натижасида ҳимоявий диэлектрик SiO
2 
пардаси ҳосил қилинади. Бу усул 
қалинлиги ва тузилиши бўйича текис ҳамда юқори ҳимоявий ва диэлектрик 
ҳоссага эга бўлган сифатли ниқобловчи парда олиш имкониятини беради. 
Кислород (О
2
) муҳити кремний (Si) ни юқори температурада оксидлашда 
SiO
2 
ҳосил бўлиши кинетикаси А.Тешабоев ва б. нинг “Яримўтказгичлар ва 
яримўтказгичли асбоблар технологияси” (Тошкент, 2005 й. 17-боб) китобида 
анча батафсил баён қилинган. 
 
10.5.2 Сув буғида кремний (Si) ни термик оксидлаш 
 
Кремний сиртида юқори тозаликдаги ( р~10-20 мОм.см ) ҳимоявий 
диэлектрик парда олиш учун сув буғида оксидлашда фойдаланилади. Буғ 
миқдори реакция тезлигини чегараламаган ҳолда юқори температурада 
керакли реакциялар юз беради. Сув буғи улуший (парциал) босимини ушлаб 
туриш учун кремний пластинкалар сиртида сувни қиздириб туриш керак. 
Оксид пардасининг шаклланиши кремний сиртига оксид қатлам орқали 
сувнинг диффузион кўчиши хисобига бўлади. Албатта, оксид қатламнинг 
ўсиш тезлиги тагликнинг йўналишига, электрик ўтказувчанлик турига ва 
тагликдаги киришмалар зичлигига хам боғлиқ. 
Оксидланиш жараёни 1100
о
С дан юқорида оксид қатламнинг х 
қалинлиги вақтида параболик х
2
=Bt қонун бўйича, 1100
о
С дан пaстда эса 
х
2
+b
1
x=b
2
t қонун бўйича ўса боради. Оксидланиш температураси қанча 
кичик бўлса, оксид қатлам ўсиш қонуни чизиғийликка шунча яқин бўлади. 

---

84 
Бу ҳол 500-800
о 
С температураларда юқори босимли сув буғи атмосферасида 
оксидлашда кузатилади.