А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

 
9.5 Сиғимий майдон эффекти усули 
Сиртий потенциал ўзгарганида фазовий заряднинг ўзгариши қуйидаги 
муносабат кўринишидаги сиртий сиғим тарзида ифодалаш мумкин: 
 
9.3-расм

---

76 
C
s 
=
s
sc
dY
dQ

(9.7)
Кристалл 
сиртида 
бойиган 
қатлам 
ҳосил 
бўлганида сиртий потенциал 
ўсиб борганда, яъни сиртий 
соҳада 
жамғарилган 
заряд 
ташувчилар 
сони 
ортганида 
сиртий сиғим ҳам орта боради. 
Кристалл 
сиртида 
камбағаллашган қатлам ҳосил 
бўлганида 
ҳажмий 
зарядни 
ионланган киришмалар ташкил 
қилади, 
бундай 
қатламни 
беркитувчи қатлам дейилади. 
Ҳажмий 
заряд 
кристал 
ичкарисига тортилади, шунинг 
учун сиртий сиғим камаяди. 
Инверсион 
қатламлар 
ҳосил бўлганда ҳажмий заряд 
қатлами 
кенглиги 
кичик 
бўлади, сиртий сиғим тегишли 
сиртий 
потенциал 
соҳасида 
ортади. Шундай қилиб, сиртий сиғимнинг зоналар эгилишига боғланиши
минимумга эга бўлади. Тажрибада бу боғланишни топиш
Учун конденсатор сиртий потенциал катталигини ҳосил қилади, ундаги 
кучланиш 
доимий 
бўлгани 
ҳолда 
металл-диэлектрик-яримўтказгич 
тизимининг импеданси (қаршилиги) ўлчанади.
Бойиган қатламнинг сиғими катталигини асосий заряд ташувчилар 
ҳаракати аниқлайди ва шунинг учун у ўзгарувчан кучланиш кетидан амалда 
кечикмасдан ўзгариб боради. Бундай ўзгариш чегарасини ушбу


2
>>
0


(9.8)
шарт белгилаб беради. Бу ерда σ
о
-ўтказувчанлик. (9.8) тенгсизлик деярли 
ҳамма фойдаланадиган частоталар учун бажарилади. Инверсион қатлам 
соҳасидаги Q
i
заряднинг ва сиртий ҳолатлардаги Q
ss
заряднинг ўзгаришлари 
тезлиги унча катта эмас, уни ноасосий заряд ташувчиларнинг ҳажмда 
вужудга келиши жараёнлари, шунингдек, сиртий сатҳлар ва зoналар орасида 
заряд ташувчилар алмашинуви жараёнлари аниқлайди. Бу ҳолларда сиртий 
сиғим частотага боғлиқ. 
Етарлича юқори частоталарда Q
i
ва Q
ss
зарядлар ўзгарувчан кучланиш 
кетидан улгира олмайди. Бу ҳолда яримўтказгичнинг сиртий соҳасининг 
содда эквивалент схемаси кўринишида тасвирланиши мумкин, бунда 
0
C
-