А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

9.3. Сиртий фото Э.Ю.К. ни тадқиқлаш
 
Конденсатор фотоэффектини текшириш яримўтказгичда сирт яқинида 
зоналар эгилиши ҳақида сифатий маълумот беради. Кристални кучли 
ютиладиган ёруғлик билан ёритганда ковакли фотоўтказувчанлик ўринли 
бўлган ҳолда конденсатор фото Э.Ю.К
E=
)
(
exp
1
*
s
Y
L


(9.5)
бунда

L
- ёритилиш амплитудасига пропорционал катталик. Y
s
>0 (зоналар 
беркитувчи эгилиши ) бўлганда эффект Y
s
билан бирга ортиб боради (m
о
ε
max
=L*гача). Y
s

0 бўлганда эффект Y
s
ўсган сари каттайиб боради. Биқутбли 
фотоўтказувчанлик ҳолида фото Э.Ю.К ишорасини зоналар эгилиши 
йўналиши аниқлайди.
Конденсатор фото Э.Ю.К. ўлчашларидан сиртий потенциал тўсиқ 
баландлиги аниқланиши мумкин.Бунда эҳтиёт бўлиш керак. Чунки, 
тажрибада ўлчанадиган конденсатор фото Э.Ю.К. ўзига яна диффузион 
таркибловчини, шунингдек, ҳажмий фотоЭ.Ю.К. ни олиш мумкин 
 
 
9.4. Майдон эффектининг люминесцент усули 
 
Бу усул люминесцент кристаллар сиртини ўрганишда фойдали бўлиши 
мумкин. Биринчи марта люминесцент эффект Cu
2
O ва CdS да ошкор 
қилинган. 
Агар намунани кучли ютиладиган ёруғлик билан ёритилса ва унинг 
ёритилаётган сиртига конденсатор орқали кучли электрик майдон берилса , 
бу ҳолда люминесценция интенсивлиги (оқими) ўзгариши кузатилади. 
Майдон 
электродида 
потенциалнинг 
ишорасига 
боғлиқ 
равишда 
люминесценция ё ўчади ё кучаяди. Люминесценция интенсивлигининг
o


ўзгариши майдон ~5·10
5
В/см бўлганда 50-60% ни ташкил қилиши мумкин. 

---

75 
Люминесценциянинг ўчиши майдон асосий заряд ташувчилар учун 
беркитувчи зоналар эгилиши ҳосил қилганда, кучайиши эса, антиберкитувчи 
эгилиши ҳосил бўлганида юз беради. 
Бу ҳодисанинг икки сабаби бор . 
1) Экситонларнинг нурли парчаланиши ёки нурли рекомбинация 
шароитининг (экранлаш чуқурлигида люминесценция учун жавобгар 
киришма сатҳларининг тўлдирилганлиги ўзгариши оқибатида) ўзгариши 
оқибатида люминесценция интенсивлигини ўзгаради. 
2) 
Бевосита 
кристал 
сиртида 
экситонлар 
парчаланиши 
ёки 
рекомбинация 
шароити 
ўзгарганда 
сиртий 
электрон 
ҳолатлар 
тўлдирилганлиги ўзгаради. Бу ҳам люминесценция интенсивлигини 
ўзгартиради 
Сезиларли люминесцент майдон эффекти сиртий сатҳларда бевосита 
экситонлар парчаланиши шароити ўзгариши билан боғлиқ. 
Мазкур эффектнинг частотавий боғланиши ҳам муҳим сиртга 100-3000 
Гц 
оралиқдаги 
частотали 
ўзгарувчан 
кучланиш берилганда частота пасайиши 
билан эффект кучаяди. Люминесцент 
эффектнинг кузатиладиган ортиши сабаби 
мазкур 
частоталарда 
сиртий 
сатҳларда 
экситонлар 
парчаланиши 
шартларининг 
ўзгаришидир. 
Y
s
=f(V) 
ва 
(∆I/I
0
)=φ 
(V)
боғланишлардан V ни чиқариб ташлаб,
(∆I/I
0
)=f
1
(Y
s
) (9.6)
боғланиш ҳосил қилинади. Шундай эгри 
чизиқ 9.4 –расмда тасвирланган. 
Умумий 
ҳолда 
люминесцент 
эффектнинг Y
S
га боғланиш мураккаб, аммо, 
бир 
неча 
ҳусусий 
ҳолларда 
(Y
s
<1кТ, 
антиберкитиш эгилиши, Y
s
>10кТ) мазкур 
боғланиш аниқланган. Хулоса шуки, майдон 
люминесцент эффекти усули асосида, агар 
(9.6) боғланиш маълум бўлса сиртий
сатҳларнинг 
параметрларини 
аниқлаш 
мумкин.