‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

Geterotuzilmalar asosidagi maydoniy tranzistorlar. Yarimo'tkazgich
geterotuzilm alar eng yuqori chastotali tranzistorlar, lazerlar, hamdawww.ziyouz.com
kutubxonasi
integral sxemalar (chiplar) yaratishning asosi bo'ldilar. G eteroo‘tish
deb taqiqlangan zonalari kengligi b ir-birinikidan farq qiluvchi
yarim o‘tkazgich!ar hosil qilgan o ‘tishlarga aytiladi. G eteroo‘tishlar
monokristall va polikristall materiallar orasida hosil qilinishi mumkin.
Ular, shuningdek, anizotip (p-n — geteroo‘tishlar) va izotip (p-p— va
n-n— geteroo‘tishlar) boMishi mumkin. G eteroo‘tishlar geterotuzilmam
hosil qiladi.
13.11-rasm da keng taqiqlangan zonaga ega n— AlxG a, xAs va
nisbatan tor taqiqlangan zonaga ega p-GaAs laming (a) va ular orasida
hosil qilingan geteroo‘tishning energetik diagrammasi (b) keltirilgan.
«-AlxGa, xAs ning taqiqlangan zonasi kengligi qattiq eritma tarkibidagi
aluminiyning m olyar miqdoriga bog‘liq va 1,43^-2,16 eV oraliqda
(AlAs birikmaning taqiqlangan zonasi kengligi ) o ‘zgarishi mumkin.
a)
° ---1
щ — ^
f t
W t
b)
лГГ ■* .
-H£.
"Л
elektronlar
p
kanal
и
kovalilar
13.11-rasm. n~AIxGa, xAs va р-GaAs yarimo'tkazgichlarning (a) va
p-n geteroo‘tishning zonalar energetik diagrammalarining tuzilishi (b).www.ziyouz.com
kutubxonasi
Bu yerda vakuumdagi elektron energiyasi nol sath sifatida qabul
qilingan. X ~ kattalik elektronning yarim o‘tkazgichdan vakuumga
asl chiqish ishi. Termodinam ik chiqish ishi A deb belgilangan.
Yarimo‘tkazgichlar kontaktga keltirilganda ularning Fermi sathlari
H^bir xil bo‘ladi. bo‘lgani uchun n — sohaning chegaradosh
qism idan p — sohadan kelgan elektronlarga nisbatan, ko ‘proq
elektronlar narigi sohaga o ‘tadi.
Taqiqlangan zonasi kengligi katta yarimo'tkazgichning chegaradosh
qismi elektronlar bilan kambag‘allashadi, unda musbat fazoviy zaryad
hosil bo‘ladi, energetik zonalar cheti yuqoriga egiladi. Nisbatan tor
zonali yarimo‘tkazgichning chegaradosh qismi elektronlar bilan boyiydi,
bu elektronlar manfiy fazoviy zaryad (kanal) hosil qiladi va zonalar
cheti pastga egiladi. %x v a j , kattaliklar qiymatlari turlicha, shuning
uchun yarimo‘tkazgichlar chegarasida o ‘tkazuvchanlik zonalari orasida
A Wc va valent zonalari orasida AlVy uzilishlar hosil b o ‘ladi.
0 ‘tkazuvchanlik zonasida uzilish qiymati A W = x 2 X \~ §a ten S
V a le n t z o n a d a esa u z ilish q iy m a tig a k o n ta k tla s h u v c h i
yarimo‘tkazgichlar taqiqlangan zonalari farqi qo'shiladi. Shuning uchun
elektron va kovaklarda potensial to'siqlar balandligi har xil bo‘ladi.
K o'rib chiqilayotgan holda kovaklar uchun to ‘siq katta. T o ‘g‘ri
yo'nalishda kuchlanish berilganda elektronlar uchun bo‘lgan potensial
to ‘siq kam ayadi va e le k tro n lar n — y a rim o ‘tk azg ich d an p —
yarim o‘tkazgichga injeksiyalanadilar. Kovaklarning potensial to ‘sig‘i
ham kamayadi, lekin u kattaligicha qoladi va p — yarim o‘tkazgichdan