Bog'liq ‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X.
Kremniyli maydoniy nanotuzilmalar.IM Slarning, shu jum ladan
mikroprosessorlar va xotira mikrosxemalarining asosiy aktiv elem enti
b o ‘lib krem niyli M DYa — tranzistorlar xizm at qiladi. M DYa —
tranzistorlar “dielektrik sirtiga kremniy olish” (DSKO) texnologiyasi
bo‘yicha tayyorlanadilar. Bunda tuzilmaning mexanik mustahkamligini
ta ’m inlovchi, yetarlicha qalin kremniyli asos sirtiga kislorod ionlari
implantatsiya qilinadi, natijada sirtdan m a’lum chuqurlikkacha kirib
borgan ionlar chuqurlashgan dielektrik qatlamni hosil qiladi. Shundan
keyin molekular nurli epitaksiya (M N E) yordamida asosning dielektrikli
tom oni sirtiga berilgan o ‘tkazuvchanlik turiga ega yarim o‘tkazgichning
kristall tuzilishli mukammal monokristall qatlami o'stiriladi. M NE
qalinligi bir necha kristall panjara davri qalinligiga ega qatlam olishwww.ziyouz.com
kutubxonasi
imkonini beradi (bir davr 2A ga yaqin). Monokristall qatlam qalinligi
N — tranzistor kanali qalinligi bilan aniqlanadi. Keyin yuqori
ajratuvchanlikka ega litografiya yordamida nanotranzistor kanali hosil
qilinadi. Kanal SiO, sirtida joylashgan qalin brusok shakliga ega bo‘ladi.
Dielektrik qatlam yupqalashtirilgani sababli u orqali oquvchi sizilish
toki (tunnel tok) tranzistorlarni mikrominiatyurlashda katta to‘siq bo‘lib
turibdi. Amaliy natijalar bilan tasdiqlangan nazariy baholashlarning
ko‘rsatishiga qaraganda, kremiyli MDYa — tranzistor kanali uzunligi
6 nm gacha, S i0 2 qatlam qalinligi 1,2 nm gacha kamaytirilganda
“ochiq—berk” holatlar toklari nisbatini 10s tartibda saqlangan holda
xarakteristikaning yuqori tikligiga ega bo‘ladi. S i0 2 qatlam qalinligi
yana ham yupqalashtirilganda sizilish toki ortib ketishi hisobiga
tranzistorni boshqarish imkoniyati yo‘qoladi.
Noqulay holatdan qutulish uchun dielektrik singdiruvchanligi
yuqoriroq (high—k) boshqa dielektrikdan foydalanish zarur bo‘ladi.
Bunday material sifatida A1,0,, Z r 0 2, HfO, va boshqalar xizmat qildi.
Natijada sizilish tokini o ‘n martadan ortiqroq kamaytirishga erishildi.
Yangi dielektrik nanotranzistorlarda 2007-yildan qo‘llanila boshladi.
U shbu y u tu q n i G . M u r “ 6 0 -y illa rd a n bu y o n tra n z is to rla r
texnologiyasida eng muhim o ‘zgarish” deb atadi.
Lekin yangi dielektrik polikremniyli zatvor bilan “chiqishm adi”.
Bu yuqori tezkorlikka erishishga qarshilik qildi. Shuning uchun zatvor
m aterialini ham o'zgartirishga to 'g ‘ri keldi. Bu m aterial tarkibi
hozirgacha Intel korporasiyasi tomonidan sir saqlanib kelinmoqda.
Zatvor uzunligi 20 nm ni tashkil etuvchi yangi tranzistor ochilishi va
berkilishi uchun 30 % kam energiya talab etiladi, mikroprosessorlar
esa 109 ta atrofidagi tranzistorlarga ega va 20 Gs chastotada 1 Vdan
kichik kuchlanishlarda ishlaydi. DSKO texnologiya AM D va Intel
kompaniyalari tomonidan yoppasiga ishlab chiqarilayotgan zamonaviy
Pentium va Athlon seriyali mikroprosessorlarda qo‘llanilmoqda.
Zamonaviy kremniyli MDY — nanotranzistorlar konstruksiyasi
standart MDY — mikrotranzistorlardan zatvor turi bilan ham farq qiladi.
Zatvorlarning asosiy turlari: a) bir zatvorli planar; b) ikki zatvorli “baliq
suzgichli” (adabiyotlarda FitFET deb nomlanadi); c) uch zatvorli.
DSKO texnologiya asosida yaratilgan krem niyli uch zatvorli
nanotranzistor konstruksiyasi 13.10-rasmda ko‘rsatilgan. Kanal uch
tom ondan zatvorosti dielektrik qatlam bilan o ‘ralgan. Uning nomi
shundan kelib chiqadi.www.ziyouz.com
kutubxonasi
Shunday qilib, kremniyli M DY — tranzistorlar tezkorligi zatvor
materiali va zatvorosti dielektrik turi o ‘zgartirilgandan keyin kanal
uzunligini kamaytirish hisobiga oshiriladi.
M DY - tranzistorlarning tezkorligi uning xarakteristika tikligi S bilan aniqlanishi m a’lum. U chegaraviy chastota f ChEG bilan quyidagi
ifoda orqali bog‘langan
Bu yerda: CZI - istokka nisbatan metal zatvor sig‘imi. Xarakteristika
tikligi (6.22) ga muvofiq
bu yerda: jun - elektronlarning kanaldagi harakatchanligi;
