‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

n — yarimo'tkazgichga amalda injeksiya bo'lmaydi. Shunday qilib,
geteroo‘tishlarda bir tomonlama injeksiya rejimi amalga oshadi. Agar
keng zonali yarim o'tkazgich p - turli b o ‘lsa, to ‘siq balandligi
elektronlar uchun katta bo‘ladi.
Zatvor sifatida Shottki baryeridan foydalanilgan va geteroo‘tishli
m aydoniy tranzistor tuzilishi 13.12, a-rasm da, kanal ko‘ndalang
kesimidagi zonalar diagrammasi 13.12, b-rasmda ko‘rsatilgan.www.ziyouz.com
kutubxonasi
а)
b)
metali
О
1 n* AlGaAs
Inn m I
Г
J
G(l4 s
j
metali
ha 11 a I
asos Gais
r.v
13.12-rasm. Geteroo'tishli maydoniy tranzistor tuzilishi (a) va
zonalar diagrammasi (b).
Asos 3 sifatida o d atd a yarim izo'atsiyalovchi galliy arsenidi
qoMlaniladi. Asos sirtiga legirlanmagan yuqori omli GaAs 2 qatiam
o ‘stiriladi. Keyin o'tish hosil qilish uchun yuqori legirlangan keng
zonali n+ AlGaAs qatiam 1 o'stiriladi. 1 qatiam qalinligi 5CH-60 nm ni
tashkil etadi, shuning uchun u dielektriklik xususiyatini namoyon etadi,
chunki elektronlarning bir qismi zatvor metaliga o ‘tadi, boshqa qisrni
esa kanalga o ‘tadi. Shunday qilib bunday tuzilmada kanal sohasi va
leg irlo v ch i k iritm a li so h a fazoviy a jra tilg a n va e le k tro n la r
harakatchanligi sezilarli oshadi.
Tranzistorning ishlash prinsipi. Zatvorda kuchlanish b o ‘lmagan
holda stok toki (USI > 0) bo'lganda maksimal qiymatga ega bo‘ladi.
Zatvordagi manfiy kuchlanish ortgan sayin potensial chuqur chuqurligi
kam ayadi, u bilan birgalikda kanal o'tkazuvchanligi kam ayadi.
Zatvordagi kuchlanishning m a’lum qiymatida chuqur yo‘qoladi. Bu
kanalning to ‘liq berkilishiga to ‘g‘ri keladi.
Zaryad tashuvchilar harakatchanligining ortishiga asoslangan
tranzistorlar, harakatchanligi yuqori yoki N E M T (High Electron
M obility T ransistor) tranzistorlar nom ini olgan. Am alda zaryad
tashuvchilar harakatchanligi yuqoriligidan to ‘liq foydalanib bo‘lmaydi.
Katta integral sxemalarda kanal nzunligi 1 mkm dan kichik. Bunda
bo‘ylama m aydon kuchlanganligi shunchalik katta-ki, dreyf tezlik
,9 to ‘yinishga ega b o ‘ladi. Bu elektronlar harakatchanliginingwww.ziyouz.com
kutubxonasi
kamayishini anglatadi va (13.8) ifodada tezlik va maydon kuchlanganligi
orasidagi p ro p o rsio n allik buziladi. S huning uch u n m aydoniy
tranzistorlar tikligini katta darajada oshirishning iloji yo‘q. Shunga
qaramasdan geterotuzilmali maydoniy tranzistorlar sun’iy yo‘ldoshli
aloqa tizimlarining kam shovqinli kuchaytirgichlarida keng ishlatiladi,
chunki shovqin koeffitsienti zatvor uzunligiga proporsional. Hozirgi
zamonda bunday tranzistorlar asosida f = 20 G G s chastotada shovqin
koeffitsienti KSh < 1 dB, kuchaytirish koeffitsienti K ft\2 dB bo'lgan
kuchaytirgichlar ishlab chiqilm oqda, chastota 60 G G sdan yuqori
boiganda A ^ 4 dB, KSh < 3 dB tashkil etadi.
Axborotlarni qayta ishlash va uzatishning optik usullari rivojlanishi
bilan optoelektron qurilmalar va tizimlarni ishlab chiqish m uhim kasb
etm oqda. Ular uchun samaradorligi yuqori fotoqabulqilgichlar va
lazerlar yaratilgan. Bundan keyin keng tarqalgan ko‘chkili fotodiodlar
va geterotuzilm alar asosidagi nanoelektron lazerlar ko‘rib chiqiladi.