‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

C() — dielektrikning solishtirma sig‘imi;
UZ[ — zatvor va istok orasidagi kuchlanish;
UB0.S~ bo‘sag‘aviy kuchlanish;
L, В — mos ravishda kanal uzunligi va kengligi.
(13.7) formulaga muvofiq xarakteristika tikligi va mos ravishda
tranzistor tezkorligini oshirishning ikkinchi yo‘li kanalda zaryad
tashuvchilar harakatchanligini oshirish bilan bog'liq.
Asbobning n — kanalida elektr toki elektronlarning bo‘ylama elektr
m aydondagi dreyf harakati hisobiga hosil b o ‘ladi. E lek tro n lar
harakatlanganda yarim o'tkazgichning tebranm a harakat qilayotgan
atom lari (fononlari), kiritmalar ionlari va kristall panjara nuqsonlari
bilan to ‘qnashadilar, ya’ni sochiladilar. D reyf harakatning o ‘rtacha
tezligi ~g,DR tezlanishni to ‘qnashuvlar orasidagi o ‘rtacha vaqt r 0ga
ko‘paytirilganiga teng:
(13.6)
S = n , C ^ ( U 7, - U „ s )
(13.7)
Э о п = Щ -Е = 1ЛЕ.
(13.8)www.ziyouz.com
kutubxonasi
4
h\
3 4 л
A
1 -
! i ...J-----i----- /
i
1
!i
\
1
1
stok
zatvor
/-11 1
A
-B-
istok
13.10-rasm. Uch zatvorli kremniyli nanotranzistor:
/ — kremniyli asos; 2 — chuqurlashgan Si О2qatlam;
3 — kanal; 4 — zatvorosti dielektrik (high~k); 5 — metall zatvor.
va kiritmalar ionlaridagi
H * ( m ' y V2N r'T -V2, (13.10)
so ch ilish bilan ch eg aralan ad i. Bu yerda: m* — erk in zaryad
tashuvchining kristaldagi effektiv massasi, Ni — ionlashgan kiritmalar
konsentratsiyasi. Natijaviy harakatchanlik M -
v M,
(13.9) va (13.10) formulalardan maydoniy tranzistor tezkorligi
kanalni kichik effektiv massali zaryad tashuvchilarga ega bo'lgan
materialdan hosil qilib yoki legirlovchi kiritmalar konsentratsiyasini
kamaytirib (kiritmalar ionlarida sochilishni butunlay yo‘qotib) oshirish
mumkin. Buni geteroo‘tishli nanotuzilm alarda amalga oshirish qulay.