Академия наук республики узбекистан

Тадқиқотнинг республика фан ва технологиялари ривожланиши
-
 
нинг устувор йўналишларига боғлиқлиги. 
Мазкур тадқиқот
республика 
фан ва технологиялари
ривожланишининг 
II. 
«Энергетика, энергия
ва
ресурстежамкорлик» ва
III. 
«Қайта тикланувчи энергия манбаларидан 
фойдаланишни ривожлантириш»
каби устувор йўналишлари
доирасида 
бажарилган
. 
Маъруза шаклидаги диссертациянинг мавзуси бўйича халқаро 
илмий
-
тадқиқотлар шарҳи
2
. 
Поликристалл кремний ишлаб чиқаришнинг 
янги моносиланли
 
технологиялари яратиш ва ионли стимуллашган 
усуллардан фойдаланиб, кремний структуралари хусусиятларини 
такомиллаштириш устида тадқиқотлар дунёнинг кўплаб илмий 
марказларида, жумладан GCL Poly Energy (ХХР), Wacker Chemie
ва SiTec 
Applied Researc
h 
(Германия), OCI (Жанубий
Корея), Hemlock Semiconductor 
2
Маъруза шаклидаги д
иссертациянинг
мавзуси бўйича халқаро
илмий
-
тадқиқотлар шарҳи
Ch. Roselund
“SunEdison begins production of electronic grade polysilicon using fluidized bed reactor technology”. PV 
magazine,
10/2014,
http://www.pv
-
magazine.com;
Jens Ulltveit-
Moe. REC Silicon 
– 
Nordic Energy Summit 2016, 
Oslo, 17 March 2016, http://hugin.info/136555/R/1995001/734790.pdf; Ch. Roselund
“
The slow grind of FBR 
polysilicon” PV magazine, 09/2015, pp.89
-
91, www.pv
-
magazine.com; Ran Fu, Ted L. James, and Michael 
Woodhouse. Economic Measurements of Polysilicon for the Photovoltaic Industry: Market Competition and 
Manufacturing Competitiveness IEEE Journal of photovoltaics, Vol. 5, No. 2, 2015, pp.515
-
524; Wataru Shindo, 
Tadahiro Ohmi. Ion energy, ion flux, and ion mass effects on low
-temperature si
licon epitaxy using low
-energy ion 
bombardment process. 
J. Appl. Phys. 
79 
(5), 1996, pp. 2347
-
2351; S. N. Chebotarev et al. Features in the Formation 
of Ge/Si Multilayer Nanostructures under Ion Beam Assisted Crystallization Technical Physics Letters, 2013, Vol. 
39, No. 8, pp. 726
–
729; А
.
С
. 
Пащенко
и
др
.
 
Особенности легирования сурьмой в процессе ионно
-
лучевой 
кристаллизации кремния. Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 4, с.553
-
556; 
T.S. Perova 
et 
al. 
Strain, composition and crystalline perfection in thin SiGe layers studied by Raman spectroscopy. Thin Solid 
Films, v.517 (2008) pp.265
–
268; 
D. Appy, H. Lei, Y. Han, C. Wang, M. C. Tringides, D. Shao, E. J. Kwolek, J. W. 
Evans, P. A. Thiel. Determining whether metals nucleate homogeneously on graphite: A case study with copper. 
Phys.Rev.B.90.195406 (2014); Novel Silicon Based Technologies
. 
By editors:
Roland
 
Levy
, Springer, (2012), DOI 
10.1007/978
-94-011-3430-9 
ва
бошқа манбалар асосида бажарилган.
6

---

Corporation (АҚШ), REC Silicon (Норвегия
-
АҚШ), SunEdison inc. (АҚШ) 
каби компаниялар илмий ишлаб чиқариш марказларида, ҳамда Carnegie 
Mellon University
ва Iowa State University
(АҚШ), 
Laboratoire de Génie 
Chimique
UMR CNRS
(Франция),
Tohoku University (Япония), University 
Stuttgart (Германия),
University of Basel (Швейцария),
Dutch Institute For 
Fundamental Energy Research
(Нидерландия), Telemark University
(Норвегия), 
Москва давлат университети, Қозон федерал университети, Нижегород 
давлат университети,
Томск 
давлат университети
ва Ярим ўтказгичлар 
физикаси институти (Россия), Миллий техника университети (Украина), Ион 
плазма ва лазер технологиялари институти ва Тошкент давлат техника 
университетида (Ўзбекистон) кенг қамровли илмий
-
тадқиқот ишлари олиб 
борилмоқда.
Жаҳон миқиёсида поликристалл кремний ишлаб чиқариш учун 
моносиланли технологияларни яратишда, ҳамда ион стимуллашган усуллар 
ёрдамида мураккаб гетероструктуралар ва бошқа кремний структураларини 
шакллантиришда
қатор, жумладан, қўйидаги натижалар олинган:
юқори 
босим
ва паст ҳароратда ишловчи тебранувчи «қайновчи»
қатлам реактори 
ишлаб чиқилган (SiTec Applied Research, Германия); «қайновчи» қатлам 
реакторларида моносиландан грануллашган поликремний
олишда 
солиштирма энергия сарфи кескин камайтиришга эришилган (REC Silicon, 
АҚШ); «қайновчи» қатлам реакторларида моносиландан электроника 
даражасидаги 
(
EG)
грануллашган поликремний олиш технологиясини 
яратилган
(SunEdison inc.,
АҚШ);
молекуляр нурли эпитаксияда
кремний 
структураларининг ўсиш жараёнларини ионли стимуллаштириш ва 
бошқариш оқали механик зўриқишлар камайтирилган ва электрон нурли 
физикавий буғдан ўстиришда
интерметаллидлар шакллантириб, уларнинг 
қаттиқлигини оширилган (Stuttgart University, Германия);
сиртга 
ўтқазилаётган оқимнинг ионлашиш даражаси 10
-4
бўлганда ҳам нуклеация 
жараёнига
ионлашган қисмнинг
эффектив
таъсири мавжудлиги
аниқланган
(Iowa State University, АҚШ);
молекуляр нурли эпитаксия усулида 
киришмаларнинг кенг спектри билан легирланган кремний қатламларини 
ионлар билан нурлантирилганда содир бўлувчи физик жараёнлар
тадқиқ 
қилиниб, паст энергияли ионлар билан нурлантириш шароитида кремний ва 
кремний
-
германий қаттиқ
қотишмалари қатламларини киришмали 
легирлашнинг физикавий
асослари ишлаб чиқилган
(Нижний Новгород 
давлат университети, Россия)
.
Бугунги 
кунда 
моносилан 
синтезининг 
янги 
самарали 
технологияларини, ҳамда ярим ўтказгич ва металлардан иборат структуралар 
шакллантиришнинг ионли стимуллашган усулларни яратиш устида бир 
қатор, жумладан қўйидаги устивор йўналишларда тадқиқотлар олиб 
борилмоқда: «қайновчи» қатлам реакторларида моносиландан грануллашган 
поликремний
олишда солиштирма энергия сарфи камайтириш;
экологик 
хавфсиз ва самарадорлиги юқори моносиланли технологияларни яратиш; 
ярим ўтказгич хусусиятига эга бўлган графен сиртида металларнинг ионли 
стимуллашган нуклеацияси; 
п
-
типли кремний асосидаги юқори самарали 
7 

---

қуёш элементлари структурасида пассивловчи қатламларни моносиландан 
ионли стимуллашган усулда шакллантириш
.