Академия наук республики узбекистан

Тадқиқотнинг объекти
сифатида кремний кристаллари, кремний 
органик бирикмалари (три
- 
и тетраэтоксисиланлар), кремнийнинг водородли 
бирикмалари (силанлар), кремний ва бошқа материаллар асосидаги 
эпитаксиал, юпқа қатламли и кўп қатламли структуралардан иборат
. 
Тадқиқотнинг предмети
кремнийнинг органик ва гидрид 
бирикмаларини синтезининг физикавий
-
кимёвий жараёнлари, кристаллар 
ўсиши, эпитаксиал ўсиш, ҳамда қатламларнинг ионли стимулланган
шакллантириш жараёнларини қамраб олган.
Тадқиқотнинг усуллари
. 
Диссертация иши бажариш даврида 
сканловчи электрон ва сканловчи туннель микроскопия, Раман ва 
инфрақизил
-
Фурье спектрометрия, газли хроматомасспектрометрия ва 
индуктив боғланган плазмали масс
-
спектрометрия ва бошқа замонавий 
усуллардан фойдаланилган.
Тадқиқотнинг илмий янгилиги 
қўйидагилардан иборат:
металлургик кремний ва спиртларнинг бевосита реакциясига 
асосланган 95 фоиздан юқори селективликни ва реагентларнинг юқори 
даражали 100 фоизга яқин конверсиясини таъминловчи алкоксисиланлар 
синтези технологияси ишлаб чиқилган;
10 

---

илк бор металлургик кремний ва спиртларнинг бевосита реакциясининг 
индукцион даври йўқотиш ва технологик жараён тўлиқ узлуксиз режимда 
амалга ошириш имконини берувчи усул ишлаб чиқилган;
реакция зонасида ёнбош реакциялар учун катализатор бўлиши мумкин 
бўлган нокерак киришмаларни йиғилишининг олдини
олиш ва реакция 
муҳитини фаоллаштириш усули ишлаб чиқилган;
алкоксисиланлардан фойдаланиб поликристалл кремний олишнинг 
хлорсиз моносиланли технологияси ишлаб чиқилган, 
технологик жараёндан агрессив прекурсорлар ва чала маҳсулотлар
-
нинг йўқотилганлиги туфайли бир марталик
дистилляция орқали моносилан 
тозалигини юқори
даражагача кўтариш имконияти яратилган;
триэтоксисилан диспропорциялаш орқали моносилан синтез қилиш 
жараёнини хона ҳароратида ва узлуксиз равишда ўтқазиш имконини берувчи 
фаол катализатор тайёрлашнинг янги усули
ишлаб чиқилган; 
поликристалл кремний олишнинг
моносиланли технологиясини амалга 
ошириш учун экспериментал қурилма яратилган; 
ўсиш
сиртидаги жараёнларни назорат қилиш ҳамда
бошқаришда ион 
манбаси ўрнида электрон нурли буғлатиш пайтида ҳосил бўлувчи ионлардан 
фойдаланиш имконини берувчи зараядланган зарралар оқимини ажратиш ва 
ўлчаш усули ва буни амалга оширувчи қурилма ишлаб чиқилган;
ўсиш вақтида кремний кристалл панжарасида сурьма атомларининг 
ионли стимуллашган жойлаштириш эвазига легирлаш даражаси 10
19
см
-3
гача 
оширилган;
кремний
-
германий гетероструктураларидаги механик зўриқишларни 
ионли стимуллашган релаксация усули ишлаб чиқилган
ва механик 
зўриқишлар
релаксация даражасини бошқариш мумкинлиги тажрибада 
тасдиқланган;
ионли стимуллашган молекуляр нурли эпитаксия усулида олинган 
кремний сиртидаги германий нанооролчаларининг зичлиги ошиши ва тақси
-
мот функциясининг қисқаруви максималлиги ионлар энергияси 200 эВда 
амалга ошиши аниқланган;
вакуумда ионли стимуллашган усулда олинган кремнийнинг қатламли 
p-n
структураларида
500Кдан юқори ҳароратда термовольтаик хоссаларни 
яққол намойиш этилиши аниқланган;
иссиқлик барьер қатламларини тагликка мослаштириш учун кимёвий 
яқинликли ва градиент ўтишли оралик қатламларини яратишнинг ионли 
стимуллашган усули ишлаб чиқилган
.