Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
141 
ИКС-14, а в области 
𝛌≈
0,75 мкм коэффициент отражения определен с 
помощью монохроматора ЭD 0,5-M. 
С целью определения стабильности изготовленных гетероструктур 
исследовали влияние температуры на спектральные характеристики. 
Установлено, 
что 
с 
увеличением 
температуры 
максимум 
фоточувствительности гетероструктур смещается в сторону больших длин 
света. В коротковолновой области спектра изменение фоточувствительности 
с температурой незначительно.
Сдвиг максимума фоточувствительности с температурой можно 
объяснить изменением ширины запрещенной зоны теллурида кадмия.
Наличие резкого спада фоточувствительности в длинноволновой 
области спектра позволяет определить температурный коэффициент ширины 
запрещенной зоны (dE
g1
/
) теллурида кадмия. Величина dE
g1
/
определенная из температурного сдвига спада фоточувствительности в 
длинноволновой области спектра, составляет 
-4 
эВ/град, что 
удовлетворительно согласуется с данными, определенными другими 
методами. Уменьшение фоточувствительности с уменьшением температуры 
в длинноволновой области спектра связано с тем, что при понижении 
температуры фотоны с меньшей энергией проникают глубже в теллурид 
кадмия. Это приводит к частичному несоответствию областей генерации и 
разделения электронно- дырочных пар [7].
С повышением температуры увеличивается число фотонов, 
поглощаемых вблизи р-n- перехода, и глубина поглощения (
) 
становится сравнима с длиной диффузии неосновных носителей, вследствие 
чего происходит полное разделение электронно – дырочных пар, что 
приводит к увеличению фоточувствительности в длинноволновой части 
спектра. Для длинноволнового излучения наблюдается резкая зависимость 
фоточувствительности от температуры. Такое отличие в температурной 
зависимости фоточувствительности при различных длинах волн также 
объясняется изменением глубины поглощения света и диффузионной длины 
неосновных носителей в теллуриде кадмия.
Характерная особенность спектральной характеристики пленочной 
гетероструктуры pCdTe - nCdS и pCdTe - nCdSе является высокая 
стабильность фоточувствительности в коротковолновой области спектра. 
Литературы 
1. P.J. Sellin, D. Hoxley, A. Lohstroh, A.Simon, W.Cunningham, 
M.Rahman, J.Vaitkus, E.Gaubas, Ion beam induced charge imaging of epitaxial 
GaN detectors, Nucl. Instr. Meth. Phys. A 531 (2004) 82-86. 
2. C.Li, J.Poplawsky, Y. Yans, S.J. Pennycook, Understanding individual 
defects in CdTe thin-film solar cells via STEM: from atomic structure to electrical 
activity, Mater.Sci. Semicond. Process. 65 (2017) 64-76. 

---