Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
150 
СЕКЦИЯ 3. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ 
НАНОСТРУКТУРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ 
ВЛИЯНИЕ ГАДОЛИНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НА 
 МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЕ КРЕМНИЯ – КРЕМНИЯ ОКСИДА 
 
С. Зайнабиддинов
1
, Д.Э. Назиров
2
 
1
Андижанский государственный университет, Андижан, Узбекистан 
2
Национальный университет Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
E-mail: [e-mail] 
 
Изучено влияние всестороннего гидростатического давления на 
изменение подвижного заряда встроенного в структуру свинцово-
боросиликатного стекла Pb0-SiO
2
-B
2
0
3
-Al
2
0
3
-Ta
2
0
5
. Показано что воздействие 
давлением в 3 

5 кБар приводит к уменьшению подвижного заряда и 
улучшению диэлектрических параметров стекла. В таких устройствах, как 
полевые транзисторы, поверхностный барьер переменной емкости, элементы 
памяти, устройства с зарядовой связью, связь полупроводник - диэлектрик 
является 
основной 
рабочей 
областью. 
В 
большинстве 
других 
полупроводниковых 
приборов 
контакт 
полупроводник-диэлектрик 
выполняет функции поддержки: разделительная изоляция, пассивация и 
защита поверхности полупроводника от внешних воздействий. Во всех 
случаях физические процессы, происходящие на границах раздела 
полупроводник - диэлектрик, оказывают существенное влияние на рабочие 
характеристики полупроводниковых приборов.
Большое количество работ посвящено изучению влияния внешних 
воздействий на свойства переходных слоев. Но эти работы, как правило, 
посвящены исследованию наиболее широко используемой системы кремний 
– диоксид кремния. 
Однако в некоторых случаях система кремний - диоксид кремния 
обладает некоторыми недостатками. К таким недостаткам относятся 
высокотемпературные (900 - 1200
0
С) условия образования слоя SiO
2
, 
приводящие к перераспределению примесных центров по толщине к 
полупроводниковой подложке, обусловлены различными факторами 
сегрегации и относятся к появлению в полупроводнике термоэлемента, 
дефектные центры. 
Свинцово-боросиликатные стекла, лишены этих недостатков. Более 
того, использование легкоплавких свинцовых боросиликатных стекол 
позволяет сочетать высокие изоляционные характеристики и простоту 
получения диэлектрических покрытий. С этой точки зрения изучение 
природы электрофизических процессов, протекающих в покрытиях на основе 
свинцово-боросиликатных стекол, актуально при внешних воздействиях.

---