Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
148 
Числения обработка экспериментальных данных в 
 
2
была проведена в 
рамках ничем не обоснованного предположения, что параметры фотослоев, 
такие как электропроводность, фотопроводимость и ее постоянная времени 
пропорциональны 
 
S
N

, и была получены следующие оценки:
10
2
0, 7 10
/ c
ГК
D
cм


при 305K и 
10
10
/
ГК
D
см с

при 313К; энергия активации 
диффузии порядка нескольких десятых эв. Анализируя работу 
 
2
легко 
показать, что зависимости электрических и фотоэлектрических параметров 
слоев PbS от 
 
S
N

более сложные. В частности, электропроводность 
фотослоя описывается выражением: 
2
exp
i
P
d
n
d
kT
e
L N
kT











(2) 
где 

- амплитуда изгиба зон у ГК, 
d
- ширина инверсионного канала, 
L
- 
средний размер кристаллитов, 
d
N
- уровень легирования в кристаллитах, 
P

- 
подвижность дырок, 
i
n
- собственная концентрация носителей заряда в PbS. 
Амплитуда изгиба зон в случае моноэлектрических поверхностных 
состояний на ГК определяется соотношением: 
2
2
2
0
( )
8
S
e f N
Nd




(3) 
Здесь 
f
- функция заполнения состояний электронами, 
0

- диэлектрическая 
проницаемость PbS. Полагая 
f
=1 (все состояния заполнены) и можно 
получить количественное выражение закона, описывающего кинетику 
изменения электропроводности при диффузионном. Не приводя здесь 
математической формулы для 
 
 
, укажем, что через нее можно вывести 
расчетную формулу определения 
ГК
D
посредством измерения 

в трех 
различных моментах после начала диффузионного процесса: 
2
1
2
2
2
3
( )
( )
2
( )
( )
ГК
n
n
d
D
n
n
n
 
 
 
 
 




(4) 
где 


=
2

-
1

=
3

-
2

. Перерасчет, согласно (4.4), экспериментальных данных 
 
3
показал, что 
12
2
2,5 10
/
ГК
D
см с



при 305К и 
12
2
3,1 10
/
ГК
D
см с



при 313К. 
Эти данные прекрасно коррелируют с результатами, полученными с 
использованием другой методики расчета на сути которой мы остановимся 
далее.
В свежеприготовленных фотослоях PbS ГК сильно насыщены 
активирующей примесю, поэтому на граница раздела поверхность слоя- 
среда существует резкий градиент ее концентрации.
Процесс истощения ГК примесью при прогреве полностью 
соответствует случаю диффузии из слоя конечной толщины в 
полуограниченную среду, когда граница последней – отражающая. (Для 

---