Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
157 
Показано, что после легирования марганцем заметно изменяются 
электрические параметры - удельного сопротивление, подвижность и 
концентрация носители заряда. Изменение концентрации носителей заряда 
после легирования марганцем объяснено взаимодействием марганца с 
элементов VI группы в решетке кремния. Показано что наблюдаемая 
нейтрализация примесей в процессе взаимодействия связана с образованием 
электронейтральных, химически связанных комплексов между центрами 
замещения элементов VI группы и марганцем. 
 
Список литературы 
1. 
Bakhadyrkhanov M.K., Mavlonov G.Kh., Isamov S.B., Iliev Kh.M., Ayupov 
K.S., Saparniyazova Z.M., and Tachilin S.A.
Transport Properties of Silicon Doped 
with Manganese via Low Temperature Diffusion // Inorganic Materials. 2011. Vol. 
47, No. 5, pp. 479-483. 
2. 
 Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Исамов С.Б., Тачилин С.А., Зикриллаев 
Н.Ф., Ибодуллаев Ш.Н., Турсунов М.О. 
Особенности фотоэлектрических 
свойств кремния с наноклатерами атомов марганца в области 

=1,5...2,5 мкм 
// Приборы. Россия, 2019. Т.231. вып 10. 52-55. 
3. 
Bakhadyrkhanov M.K., Iliev Kh.M, Тursunov M.O., Isamov S.B., 
Koveshnikov S.V., Madjitov M. Kh. 
Electrical Properties of Silicon Doped with 
Manganese via High-Temperature Diffusion
 // 
Inorganic Materials. 2021. Vol. 57, 
No. 7, pp. 655-662. 
4. 
Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B.,
Zikrillaev N.F., Тursunov M.O.
 
Anomalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese 
Atoms // Semiconductors, 2021, Vol. 55, No. 6, pp. 636–639
5. 
Iliev Kh.M, Тursunov M.O., Koveshnikov S.V., Khudaynazarov Z.B.
Research of properties of silicon with binary nanoclusters with participation of Mn 
and Se atoms // 
Semiconductor Physics and Microelectronics
. 
2020, 
Vol. 
2, 
Issue 
2. pp. 59–62. 
6. 
Bakhadyrkhanov M.K., Askarov Sh.I, and Norkulov N. 
Some Features of 
Chemical Interaction between a Fast Diffusing Impurity and a Group VI Element 
in Silicon. // Physics state solid. 1994. No. 142. pp 339-346. 
7. 
Iliev Kh.M.