Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
154 
Используя литературные данные [1], можно выписать расчетные 
формулы для коэффициентов диффузии
Для серы [2], 
c
cm
kT
D
S
2
2
.
2
exp
92
.
0






(2) 
Для селена [3], 
c
cm
kT
D
Se
2
6
.
2
exp
3
.
0






(3) 
Для теллура [4], 
c
cm
kT
D
Te
2
34
.
3
exp
5
.
0






. (4) 
Для расчета концентрации кислорода в кремнии использовалась 
зависимость из [5]: 
c
cm
kT
D
O
2
52
.
2
exp
13
.
0






(5) 
Диффузия кислорода, серы, селена и теллура проводилась при 
температуре 1250 ˚С в течение 10 часов. [6]. 
 
Глубина проникновения 
примеси рассчитывалась из соотношения 
Dt
x
2

. 
После легирования для всех образцов Si , Si , Si  
снимались 
профили 
распределения 
удельного 
сопротивления 
и 
подвижностей носителей заряда по глубине образца при комнатной 
температуре и проводился расчет концентрации примесей (Таблица 1). 
В таблице 1 приведены средние по профилю легирования значения ρ и 
µ (измеренные методом Ван-дер-Пау) и глубина проникновения
 
(
x
) примеси 
в образцах Si , Si , Si , Si . 
Таблица 1. 
Электрические параметры образцов, легированных при Т=1250 ˚С
в течение 10 часов. 
Образцы 
Тип 
проводимости
ρ, Ом·см 
µ
, 
В·с/см
2
n
, см
-3
x
, мкм 
Si<В,О> 
p 
5.9 
221 
4.8·10
15
123 
Si<В,S> 
n 
5.8
920 
1.2·10
15
1221 
Si<В,Se> 
n 
1.7 
1385 
2.6·10
15 
818 
Si<В,Te> 
n 
5.6·10
-2 
686 
1.6·10
17 
12 
Анализ кривой профиля распределения N
S
, N
Se
, N
Te 
показал, что он 
может быть описан erfc-функцией с поверхностной концентрацией N
S
=5·10
16
см
-3
, N
Se
=1·10
17
см
-3
, N
Te
=5·10
17
см
-3
и коэффициентами диффузии D
S
=5·10
-8
см
2
/с, D
Se
=7·10
-9
см
2
/с, D
Те
=6·10
-12
см
2
/с.
Экспериментальные данные достаточно хорошо (с ошибкой не более 
±20%) соответствуют расчетным данным. 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
155 
В полученные образцы с примесями элементов VI группы проводилась 
диффузия марганца из газовой фазы при при Т=1160 ˚С в течение 30 минут. 
За это время марганец практически однородно легирует объем образцов 
кремния, а профили легирования примесями VI группы практически не 
изленяются из-за малого времени легирования. 
Для активации процесса комплексообразования использовался отжиг при 
оптимальных температурах комплексообразования T
Se
=820˚C, T
Te
=650˚C в 
течение 15 минут.
Резюмируя известные результаты по исследованию межпримесного 
взаимодействия элементов VI группы с марганцем Т
О
=1300˚С, Т
S
=1100˚C, 
T
Se
=820˚C, T
Te
=650˚C [7] можно отметить, что для каждой пары элементов 
характерно определенное значение температуры, при котором имеет место 
наиболее интенсивное комплексообразование. Значения температур наиболее 
интенсивного комплексообразования приведены в таблице 2. В таблице 2 
также 
приведены 
значения 
энергии 
Гиббса 
соответствующих 
индивидуальных соединений.
Таблица 2. 
Температуры наиболее интенсивного комплексообразования и значения
энергии Гиббса соответствующих соединений. 
Бинарные 
комплексы 
T
эфф
˚С 
0
298
G

 
кДж/мол 
0
298
G

, эв
 
k
 
MnO 
1300 
-363.3 
3.7 
-0.279 
MnS 
1100 
-220 
2.3 
-0.2 
MnSe 
820 
-163 
1.7 
-0.2 
MnTe 
650 
-128 
1.3 
-0.2