,
Tursunov M.O.
,
Ismailov K.А., Ismaylov B.K
. Formation of
complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal
lattice of silicon // Semiconductor Physics, Quantum Electronics &
Optoelectronics – Ukraine, 2021. – Vol. 24. – No 3. – Pp. 255-260.
8.
Glushko V.P.
Thermodynamic Constant for Materials // 1974. Issue. 7 Pt 1,
Nauka, Moscow (in Russian).
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
158
ОБ ОСОБЕННОСТЯХ ОБРАЗОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ
ДЕФЕКТОВ В ДИОДНЫХ СТРУКТУРАХ С ПРИМЕСЯМИ
ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Утамурадова Ш.Б., Хамдамов Ж.Ж., Равшанов Й.Р., Утениязова А.Б.,
Файзуллаев К.М., Рахманов Д.А.
Научно-исследовательский институт физики полупроводников и
микроэлектроники Национального университета Узбекистана,
г. Ташкент, 100057, Республика Узбекистан
E-mail: sh-utamuradova@yandex.ru
Вопросы дефектообразования в кремнии являются одной из актуальной
проблем полупроводникового материаловедения и микроэлектроники,
поскольку процесс изготовления практически любого полупроводникового
прибора включает различные циклы термообработок. Для модификации
свойств кремния (повышения фоточувствительности, тензочувствительности,
изменения удельного сопротивления и т.д.) его легируют различными
примесями, подвергают воздействию ионизирующего излучения, что в
конечном итоге приводит к образованию разного рода дефектов.
Известно, что имеется значительная разница между полной
концентрацией введенных примесей переходных элементов (ПЭ) в кремнии и
электроактивной частью их атомов. При этом большая часть введенной
примеси электрически нейтральна и в тоже время ее наличие оказывает
существенное влияние на процессы термического и радиационного
дефектообразования, в конечном итоге на электрические свойства
легированного кремния [1-2]. Однако в литературе нет однозначного мнения
о соотношении полной растворимости и электрической активности примесей
ПЭ и их взаимодействии с термическими (ТД) и радиационными дефектами
(РД), а также с другими примесями в кремнии.
Механизм влияния атомов примеси переходных элементов на процессы
термического и радиационного дефектообразования весьма сложен. Но все
имеющиеся данные носят несколько разрозненный и противоречивый
характер.
В данной работе приводятся результаты комплексных исследований
процессов дефектообразования в кремнии, легированном переходными
элементами. В качестве исследуемых образцов использовался n-Si,
легированный кобальтом и хромом, контрольными образцами служили
образцы, выращенные из n-Si с идентичными электрическими параметрами.
Из измерений спектров нестационарной емкостной спектроскопии
глубоких уровней (DLTS) и фотоемкости (ФЕ) образцов n-Si<Сo> и n-
Do'stlaringiz bilan baham: |