Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

, 
Tursunov M.O.
, 
Ismailov K.А., Ismaylov B.K
. Formation of 
complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal 
lattice of silicon // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & 
Optoelectronics – Ukraine, 2021. – Vol. 24. – No 3. – Pp. 255-260. 
8. 
Glushko V.P.
Thermodynamic Constant for Materials // 1974. Issue. 7 Pt 1, 
Nauka, Moscow (in Russian).

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
158 
ОБ ОСОБЕННОСТЯХ ОБРАЗОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ 
ДЕФЕКТОВ В ДИОДНЫХ СТРУКТУРАХ С ПРИМЕСЯМИ 
ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 
Утамурадова Ш.Б., Хамдамов Ж.Ж., Равшанов Й.Р., Утениязова А.Б.,
Файзуллаев К.М., Рахманов Д.А. 
Научно-исследовательский институт физики полупроводников и 
микроэлектроники Национального университета Узбекистана, 
г. Ташкент, 100057, Республика Узбекистан 
E-mail: [e-mail]
 
Вопросы дефектообразования в кремнии являются одной из актуальной 
проблем полупроводникового материаловедения и микроэлектроники, 
поскольку процесс изготовления практически любого полупроводникового 
прибора включает различные циклы термообработок. Для модификации 
свойств кремния (повышения фоточувствительности, тензочувствительности, 
изменения удельного сопротивления и т.д.) его легируют различными 
примесями, подвергают воздействию ионизирующего излучения, что в 
конечном итоге приводит к образованию разного рода дефектов. 
Известно, что имеется значительная разница между полной 
концентрацией введенных примесей переходных элементов (ПЭ) в кремнии и 
электроактивной частью их атомов. При этом большая часть введенной 
примеси электрически нейтральна и в тоже время ее наличие оказывает 
существенное влияние на процессы термического и радиационного 
дефектообразования, в конечном итоге на электрические свойства 
легированного кремния [1-2]. Однако в литературе нет однозначного мнения 
о соотношении полной растворимости и электрической активности примесей 
ПЭ и их взаимодействии с термическими (ТД) и радиационными дефектами 
(РД), а также с другими примесями в кремнии.
Механизм влияния атомов примеси переходных элементов на процессы 
термического и радиационного дефектообразования весьма сложен. Но все 
имеющиеся данные носят несколько разрозненный и противоречивый 
характер. 
В данной работе приводятся результаты комплексных исследований 
процессов дефектообразования в кремнии, легированном переходными 
элементами. В качестве исследуемых образцов использовался n-Si, 
легированный кобальтом и хромом, контрольными образцами служили 
образцы, выращенные из n-Si с идентичными электрическими параметрами. 
Из измерений спектров нестационарной емкостной спектроскопии 
глубоких уровней (DLTS) и фотоемкости (ФЕ) образцов n-Si<Сo> и n-

---