Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
153 
так и к уменьшению гистерезисных эффектов. В таких устройствах, как 
полевые транзисторы, поверхностный барьер переменной емкости, элементы 
памяти, устройства с зарядовой связью, связь полупроводник - диэлектрик 
является 
основной 
рабочей 
областью. 
В 
большинстве 
других 
полупроводниковых 
приборов 
контакт 
полупроводник-диэлектрик 
выполняет функции поддержки: разделительная изоляция, пассивация и 
защита поверхности полупроводника от внешних воздействий. Во всех 
случаях физические процессы, происходящие на границах раздела 
полупроводник - диэлектрик, оказывают существенное влияние на рабочие 
характеристики полупроводниковых приборов.
 
КОМПЛЕКСООБРАЗОВАНИЕ МАРГАНЦА
С ЭЛЕМЕНТАМИ O, S, Se, Te в Si 
 
1
Бахадырханов М.К.
 1
Илиев
 
Х.М., 
2
Турсунов
 
М.О.,
 1
 Ковешников
 
С.В.,
 
3
Норкулов Н.,
1
Маджитов М.Х. 
1
Ташкентский государственный технический университет, Ташкент. 
2
Термезский государственной университет, Термез. 
3
Национального университета Узбекистана, Ташкент. 
e-mail: [e-mail]  
Управление состоянием примесных атомов в решетке кремния 
представляет большой научный и практический интерес. Изменяя состояние 
примесных атомов в решетке можно не только существенно изменять 
электрофизические и рекомбинационные параметры основного материала, но 
и формировать различные примесные кластеры, приводящие к изменению 
фундаментальных параметров материала.
 
В 
качестве 
исходного 
материала 
был 
использован 
монокристаллический кремний 
p-
типа с 
ρ
=5 Ом см (
N
B
=5·10
15
cm
-3
) с 
концентрацией кислорода (
N
О2
=7·10
17
cм
-3
). Образцы вырезались в виде 
параллелепипедов размерами 8×4×0,4 mm
-3
,
после чего подвергались 
шлифовке микропорошками М-14 и М-3 в условиях, обеспечивающих 
получение толщины и плоскопараллельности образцов с точностью ±10 мкм. 
Травление нарушенного слоя образцов производилось в растворе HF:HNO
3 
(1:3). Для диффузии использовалась горизонтальная трубчатая печь типа 
СУОЛ-0,4. Температура диффузионного отжига измерялась с помощью 
термопары платина-платинородий. Диффузия всех примесей проводилась из 
газовой фазы (остаточное давление воздуха в кварцевой ампуле не более 10
-4
мм рт. ст.). 
Для проведения исследований была изготовлена партия образцов 
кремния
 p-
типа с ρ=5 Ом см, легированного бором.

---