Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
152 
обогащающего смещения, полупроводниковые электроны не локализуются в 
больших количествах в потенциальных ямах, а возвращаются при изменении 
полярности напряжения обратно в полупроводник.
В пользу этой причины свидетельствуют температурные зависимости 
тангенса угла диэлектрических потерь. В структурах, подверженных 
воздействию давления, максимум релаксации диэлектрических потерь 
уменьшается и становится менее выраженным. Для подтверждения 
предлагаемой модели были изготовлены конструкции с пониженным 
содержанием свинца в стекле. Массовый процент компонентов стекла Pb0-
SiO
2
-B
2
0
3
-Al
2
0
3
-Ta
2
0
5
в этих структурах составил 42:39:15:3:1. Контрольные 
измерения вольт-фарадных характеристик, в аналогичных условиях, показало 
существенное уменьшение петли гистерезиса.
Рис. 1. Вольт-фарадные характеристики (нормированные на величину емкостей слоя 
стекла) одной из исследуемых структур, до проявления давления (зависимости 1 и 2) и 
подвергнутого воздействию давления в 5 кБар с выдержкой 10 минут ( зависимость 3). 
Недавно нами было показано, что в структурах на основе SiO
2
влияние 
давления приводит изменению некоторых динамических характеристик 
раздела полупроводник - диэлектрик. Однако в структурах, изготовленных на 
основе 
n
-кремния таких как проводники, покрытые слоем свинцового 
боросиликатного стекла, скорость генерации поверхности является такой же 
функцией времени, как и для структур, подвергающихся давлению. Поэтому 
в этих структурах реконструкция поверхности при воздействии давления до 5 
кБар не происходит. На основании полученного результата можно сделать 
следующий вывод. Всестороннее сжатие структур на основе стекла PbO-
SiO
2
-B
2
O
3
-Al
2
O
3
-Ta
2
O
5
с массовой долей 49:32:15:3:1 приводит к 
уменьшению вероятности локализации электронов на легко поляризуемых 
ионах свинца. Это приводит как к улучшению изолирующих свойств стекла, 

---