Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
151 
Для исследования использовали стекло типа Pb0-SiO
2
-B
2
0
3
-Al
2
0
3
-Ta
2
0
5
с 
массовым процентным содержанием компонентов 49:32:15:3:1, нанесенное 
на поверхность пластин из 
n
-кремния (10 Ом см, с кристаллографической 
ориентацией <111) >) из раствора малой дисперсии с последующим 
плавлением (T=680
0
С) и нагревом (T=470
0
С).
Для измерений электрических характеристик использовались структуры 
типа Al
 
- свинец-боросиликатное стекло-
n
-Si. Толщина слоя стекла составила 
2000 - 2500 ангстрем. Алюминий наносился методом вакуумного осаждения. 
Диаметр электродов 3 мм. С помощью метода высокочастотных 1 МГц) 
вольт-фарадных (C-V) характеристик во всех изготовленных структурах 
наблюдался хорошо выраженный гистерезис (рис. 1). Однако в 
конструкциях, подвергнутых всестороннему сжатию давлением в 5 кБар на 
установке «Гидростат-16», гистерезис характеристик не наблюдался даже 
при измерениях в интервалах температур - 20 ÷ + 80
0
С.
 
Согласно существующим теориям, параллельное смещение вольт-
фарадных характеристик структур МГС (выполненных на основе 
полупроводника электронного типа) в сторону отрицательного напряжения 
указывает на образование положительного заряда в структуре стекла. А 
изменение формы вольт-фарадных характеристик таких структур, 
свидетельствует об увеличении заряда поверхностных состояний, которые 
перезаряжаются при изменении величины приложенного напряжения. 
Наличие в структуре свинцово-боросиликатных стекол подвижного заряда 
может быть обусловлено локализацией инжектируемых в полупроводник 
электронов вблизи легко поляризуемых ионов свинца и их накоплением на 
потенциальных барьерах включений кристаллической фаз [3].
Для подтверждения предположения о формировании подвижного 
положительного заряда в стекле исследуемых структур перед воздействием 
давления измеряли тангенс угла диэлектрических потерь при различных 
температурах (-10… + 50 
0
С) и частотах (100 кГц… 2 МГц). Сопоставление 
полученных температурных и частотных зависимостей тангенса угла 
диэлектрических потерь позволило установить, что во всех измеряемых 
структурах тангенс угла диэлектрических потерь имеет характерный 
максимум релаксации. А в структурах, подверженных давлению более 3 
кБар,
 
диэлектрические потери значительно возрастают. Поскольку изменение 
степени поляризации ионов свинца с помощью внешних механических 
воздействий 
представляется 
маловероятным, 
изменение 
высоты 
потенциальных барьеров между включениями кристаллической фазы может 
быть основной причиной, приводящей к уменьшению гистерезисных 
явлений.
Действительно, 
влияние 
давления, 
понижающего 
высоты 
потенциальных барьеров приводит к уменьшению глубины потенциального 
ям. Таким образом, инжектированные при приложеннии напряжения 

---