Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
159 
Si определен энергетический спектр глубоких уровней в запрещенной 
зоне базовой области структур Au - Si - Sb и Au - Si - Sb. 
Установлено, что эффективность образования этих уровней зависит от 
концентрации атомов Co и Cr, температуры обработки и содержания 
кислорода в исходном кремнии с кобальтом и хромом. 
Рассмотрим результаты исследования влияния 

-облучения на свойства 
Si с примесями ПЭ на примере n-Si с различным содержанием Co и 
междоузельного кислорода. Анализ спектров DLTS показывает, что в 
результате облучения в образцах n-Si (с 
опт
0
N

8

10
16
см
-3
) образуется 
новый глубокий уровень (ГУ) с энергией ионизации Е
с

0.17 эВ, его 
параметры совпадают с параметрами известного РД – А-центра (комплекса 
вакансия – кислород). В образцах c 
опт
0
N

8

10
17
см
-3
наблюдаются 2 новых 
ГУ: Е
с

0.17 эВ и Е
с

0.43 эВ, причем доминирующим является второй ГУ, 
параметры которого совпадают с параметрами другого известного РД – Е-
центра (комплекса вакансия – фосфор). Добавим, что А- и Е- центры 
наблюдаются также и в контрольных образцах Si (без Сo). 
Сопоставление дозовых зависимостей наблюдаемых ГУ в облученном 
n-Si<Сo> с аналогичными зависимостями в контрольных образцах 
показывает, что скорость введения РД в образцах, содержащих кобальт, 
значительно ниже, чем в контрольных. Таким образом, присутствие атомов 
Сo в Si cнижает эффективность образования РД. Этот эффект, по-видимому, 
следует связывать с особенностями взаимодействия атомов Сo с дефектами, 
вводимыми облучением. Отметим, что эффективность образования РД 
зависит от способа введения примеси ПЭ. В образцах диффузионно 
легированных кобальтом Е-центры вообще не образуются 
Установлено, что γ-облучение структур Au-Si<Сo>-Sb заметного 
влияния на параметры глубоких уровней (энергию ионизации и сечение 
захвата носителей тока), связанных с кобальтом не оказывает. Показано, что 
при больших дозах облучения увеличивается лишь их концентрация. 
Обнаружено, что присутствие кобальта в объеме кремния замедляет 
эффективность образования известных радиационных дефектов – комплексов 
вакансия - кислород (А-центр) и вакансия – фосфор (Е-центр). Отметим, что 
аналогичный эффект наблюдался и в образцах n-Si<Сr>. 
Литература: 
1. Милнс Л. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. – М., 
Мир, 1977, 547с.
2. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Примеси переходных металлов в 
полупроводниках.
М., 1983, 192 с.
3. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Пер. с 
англ., М., Мир,

---