Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
146 
Рис. 1. Зависимость удельного сопротивления образцов от 
дозы 

- облучения. 
1, 2, 3 - Si (p- тип) с нанокластерами с кратностью зарядового состояния +7,+5,+3 
соответственно, 4-контрольный образец,5- Si (p- тип) без нанокластеров. 
Исследование показало, что интенсивность спектров ЭПР связанных с 
нанокластерами марганца, с ростом дозы облучения ослабляется, а при дозе 
10
6
Р практически не наблюдается, вместо них появляются спектры 
состоящие из шести линий, связанные с отдельными атомами марганца в 
состоянии 3d
5
4s
0
. 
Эти результаты исследований показывают, что при облучении 

- 
квантами с дозой Ф

10
6
Р нанокластеры разрушаются и их концентрация 
становится насколько маленькой, что их влияние на спектр ЭПР не заметно. 
Экспериментальные результаты показывают, что свойства образцов кремния, 
легированного 
марганцем 
без 
нанокластеров, 
с 
аналогичными 
электрическими и физическими параметрами стабильны до дозы Ф

10
7
Р. 
Полученные результаты исследований могут быть объяснены более 
активным взаимодействием нанокластеров с радиационными дефектами, 
которое приводит к распаду самих кластеров примесных атомов, за счет 
захвата атомов марганца вакансиями. 
Литература 
1. Bakhadyrkhanov, G.K.H. Mavlonov, S.B. Isamov, Kh. M. Iliev, K.S. Ayupov, 
Z.M. Saparniyazova, S.A. Tachilin// Transport properties of silicon doped with 
manganese via low temperature diffusion. Neorganicheskie Materialy, 2011, Vol. 
47, No 5, pp. 545-550. 
2. Отрицательное магнитосопротивление в кремнии с комплексами атомов 
марганца 
 
4
Mn
/ М.К.Бахадырханов, Г.Х.Мавлонов, К.С.Аюпов, С.Б Исамов, 
// Физика Техника Полупроводников. – Санкт–Петербург, 2010.– Т. 44.– В. 
9.– С. 1181-1184. 
3. Фотопроводимость кремния с многозарядными кластерами атомов 

---