Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
139 
СПЕКТРАЛЬНАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ПЛЕНОЧНОЙ 
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ pCdTe-nCdS и pCdTe-nCdSe 
 
С.М. Отажонов, Р.Н. Эргашев, Н.Юнусов 
Ферганский государственный университет, Фергана 
Теллурид кадмия (СdTe) представляет собой материал преспективный 
для будущих детекторов регистрации частиц из-за его потенциальной 
радиационной стойкости. Кроме того, он представляет интерес для 
применения медицинской визуализации из-за свойcтв высокой мощности 
остановки фотонов. CdTe показывает значительно большую эффективность 
детектирования по сравнению с материалами GaAs и GaN и потенциально 
пригоден для детектирования ионизируюших излучений с энергией фотонов 
до 250 кэВ [1]. Тонкие пленки CdTe и гетероструктуры на их основе также 
перспективны для изготовления солнечных элементов [2,3]. Тонкие 
поликристаллические 
пленки 
CdTe, 
содержащие 
встроенные 
гетеропереходы, перспективны и для производства ячеек оптической памяти 
[4,5,6].
Экспериментальные результаты и их обсуждение
Спектральная зависимость фоточувствительности и коэффициента 
собирания исследованы в области энергии фотонов 
, (где 
- ширина запрещенной зоны узкоозонного и широкозонного 
полупроводника 
соответственно. 
Как 
видно 
из 
рис.1, 
2, 
фоточувствительность структур появляется за полосой собственного 
поглощения широкозонного полупроводника (
) и достигает 
максимума при h
Рис.1. Спектральная зависимость фоточувствителности пленочной 
гетероструктуры рСdTe-n CdS (2) и pCdTe-nCdSe (1) 

---