Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
140 
Рис.2. Спектральная зависимость фоточувствительности (1) и 
коэффициента собирания (2) пленочной гетероструктуры pCdTe-nCdSe 
Следует отметить, что коротковолновый край фоточувствительности 
pCdTe- nCdS структуры начинает резко возрастать при энергии фотонов 
2,3эВ (E
gCdS
), а у структуры pCdTe- nCdSе уже при энергии фотонов 
(E
gCdSe
) 
фоточувствительность имеет значительную величину 
. Чтобы выявить роль широкозонного оптического окна, был 
проведен следующий эксперимент. После измерения спектрального 
распределения фоточувствительности структуры широкозонный слой CdS 
вытравливается в HCl с целью выявления n- области теллурида кадмия. Затем 
на поверхность n-CdTe были нанесены токосъемные контакты из индия.
Проведенные после этого измерения показывают, что чувствительность 
pCdTe-nCdTe перехода намного ниже, чем с широкозонным оптическим 
окном (см. рис. 1, кривая 1). Однако, в нем коротковолновая часть 
фоточувствительности простирается до энергии фотонов h
Эти 
экспериментальные результаты дают возможность утверждать, что 
широкозонное оптическое окно значительно уменьшает скорость 
поверхностной рекомбинации.
Коэффициент собирания структур вычисляется с помощью выражения:
, (1) 
- плотность тока короткого замыкания, -заряд электрона, 
- число 
квантов, падающих на единицу площади, - коэффициент отражения от 
поверхности структур, - коэффициент поглощения узкозонного материла, 
- квантовый выход внутреннего фотоэффекта. 
Коэффицент отражения от поверхности фотопреобразователя
измерялся в области длин волн 0,45÷0,75 мкм с помощью спектрофометра 

---