Conference Paper


СКОПЛЕНИЯ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ Ni В Si



Download 12,16 Mb.
Pdf ko'rish
bet200/342
Sana19.02.2022
Hajmi12,16 Mb.
#458955
1   ...   196   197   198   199   200   201   202   203   ...   342
Bog'liq
Kitob

СКОПЛЕНИЯ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ Ni В Si
Тургунов Н.А.
1
, Беркинов Э.Х.
1
, Акбаров Ш.К
2
, Мамажонова Д.Х.
3

1
Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники 
при ННУз, г. Ташкент,
2
Андижанский государственный университет 
3
Национальный университет Узбекистана
Развитие полупроводниковой микро- и наноэлектроники в мировом уровне 
стимулируют исследования в области разработки новых или совершенствования 
наиболее массово применяемых в производстве полупроводниковых материалов для 
расширения их функциональных возможностей электронных изделий, изготовленных 
на их основе. Интенсивные исследования по легированию полупроводников такими 
способами, как диффузионное, при выращивании, ионная имплантация и радиационное 
легирование показали, что обычное диффузионное легирование все ещё остается одним 
из основных способов формирования физико-химических свойств материалов, с 
заранее заданными свойствами [1-4]. 
При получении полупроводниковых материалов с заранее заданными 
параметрами необходимо учитывать все стадии технологической обработки образцов. 
Условия, создаваемые при легировании различными примесями, являются одним из 
основных факторов, влияющих на последующие процессы образования дефектных 
структур в объеме монокристаллов кремния. Как известно, диффузионные параметры 
играют решающую роль во внедрении и расположении атомов примеси в
кристаллической структуре. Поэтому определение оптимальных параметров диффузии 
имеет наиболее важное значение в производстве полупроводниковых приборов. В 
связи с этим настоящая работа посвящена исследованиям влияний диффузионных 
параметров на общую растворимость и концентрацию электрически активных атомов 
никеля в монокристаллах кремния. Также были изучены структурные строения 
микровключений примесных атомов никеля в кремнии.
В проведенных исследованиях для определения полной концентрации 
примесных атомов Ni в Si использовался метод радиоактивного анализа. В качестве 
легирующего элемента был применен радиоактивный изотоп Ni
63
раствора NaCl, 


Техник ва технологик фанлар со
ҳ
аларининг инновацион масалалари. ТДТУ ТФ 2020 
263 
который электролитическим способом наносился на поверхность образцов. Далее при 
температурах 1373-1523 К образцы отжигались в течение от 20 минут до 8 часов в 
эвакуированных и наполненных аргоном кварцевых ампулах, с последующей закалкой. 
Методом снятия слоев образцов и их радиоактивного анализа определялась 
концентрация Ni в Si.
После диффузионного отжига образцы закаливались сбрасыванием ампул в 
воду. В этом случае скорость охлаждения (

охл
) образцов достигала 

охл
~200 К/с. 
Увеличение скорости охлаждения достигалось отжигом образцов в открытых 
пробирках и закалкой сбрасыванием их в воду через тонкий слой масла, которое, 
образуя на поверхности образца пленку, защищало образец от растрескивания. Для 
получения более медленных скоростей охлаждения, ампулы охлаждались на воздухе 
или вместе с отключенной печью. Структурные исследования проводили методом 
электронно-зондового микроанализа с помощью установки Superprobe JXA-8800R, 
предназначенной для локального определения состава образцов. 
Изучения зависимости растворимости никеля в кремнии от значения 
температуры диффузии, при длительности диффузионного отжига в течении 2 часов 
показали, что при температуры диффузии Т=1373 К, концентрация атомов никеля 
составляло 2

10
16
см
-3
. При дальнейшем увеличении значения температуры 
диффузионного отжига наблюдается рост значения концентрации легирующих атомов 
никеля и при Т=1523 К концентрация атомов никеля возрастает почти на один порядок 
и составляет ~2

10
17
см
-3
. Дальнейшее увеличение времени отжига не приводит к 
заметному изменению концентрации атомов Ni и эта величина концентрации 
принималась за величину растворимости при данной температуре.
Следующим важным фактором диффузии примесей в кремнии является 
длительность диффузионного отжига. В процессе диффузии никеля в кремнии были 
исследованы влияние длительности отжига на концентрацию введенных в кремний 
электрически активных атомов примеси. При температуре диффузии 1523 К, 
концентрация электрически активных атомов Ni
 
в Si достигает свое максимальное 
значение в течение двух часов. В данном интервале времени отжига наблюдается рост 
значения концентрации электрически активных атомов никеля от 3

10
13
см
-3 
до 2

10
14
см
-3
. Дальнейшее увеличение времени отжига приводит к уменьшению этого значения 
и при t=8 час она составляет ~8

10
13
см
-3
. Энергетические уровни примесных центров, 
определенные в образцах Si, отожженных при условиях максимальной концентрации 
электроактивных атомов (2

10
14 
см
-3
) составляют для Ni: Е
v
+0,2 эВ и Е
с
-0,41 эВ. Эти 
значения энергетических уровней и их концентрации наиболее стабильны для 
множества образцов и при повторном отжиге. 
Результаты анализов морфологии примесных микровключений никеля в 
кремнии показали, что в процессе диффузионного легирования в объеме образцов 
образуются примесные микровключения с различными размерами и геометрическими 
формами. На снимке полученной с помощью микроанализатора четко выделяется 
граница раздела микровключение-матричный кристалл, а также ярко выделяются 
границы между слоями микровключения никеля (рис. 1). В экспериментальных 
результатах 
наблюдается 
определенная 
зависимость 
формы 
и 
размеров 
микровключений от скорости охлаждения образцов после диффузионного отжига. 
Мелкие микровключения, размеры которых достигают до 10
-6
м, имеют иглообразные, 
дискообразные, линзообразные и сложные многогранные формы. А более крупные 
микровключения, с размерами более 10
-6
м, в основном, имеют линзообразные и 
сферические формы. 
Рис. 1. Снимок примесного микровклю-чения 
никеля в кремнии, полученный с помощью 
микроанализатора Superprobe JXA-8800R. 
Таким образом, в ходе экспериментальных 


Техник ва технологик фанлар со
ҳ
аларининг инновацион масалалари. ТДТУ ТФ 2020 
264 
исследований были определены необходимые температуры диффузии и длительности 
диффузионного отжига для введения заданного количества электроактивных атомов 
исследуемой примеси. Выявлено, что общая растворимость никеля в кремнии не 
зависит от исходных параметров кремния. Согласно полученным данным установлено, 
что основная часть примесных атомов Ni в Si находятся в электрически нейтральных 
состояниях в виде микровключений.

Download 12,16 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   196   197   198   199   200   201   202   203   ...   342




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish