Conference Paper

Объект 
исследования 
Е
v,
 эВ 
Е
F,
 эВ 
ϰ, эВ
 
Е
g
, эВ 
σ
m 
Υ(при hν = 6эВ) 
МоО
3 
7,9 
4,8 
4,5 
3,4 
3,4 
4,5 10
-3
Ва
+
МоО
3, 
5,1 
2.7 
2.6 
2,5 
4,9 
24 10
-3
Мо(111) 
4,9 
4,9 
4,9 
0 
1,35 
5 10
-4 
Ва
+
Мо 
=10
-3
Па 
5,9 
2,3 
1,2 
4,7 
6,6 
30 10
-3 
Основными дефектами в пленках ВаО являются кислородные и бариевые 
вакансии. На поверхностях кислородные вакансии приводят к некоторому увеличению 
еφ относительно чистой пленки ВаО, а бариевые - к уменьшению еφ и у некоторому
искривлению зон вниз. В нашим случае еφ ~ 2,4 эВ, что значительно меньшее, чем еφ 
,,чистого” ВаО (еφ 3,5 эВ. Уменьшение еφ по-видимому, связано как с уменьшением 
ϰ, так и смешением Е
F
вверх. Последний может быть обусловлен наличием на 
поверхностной области ВаО вакансий атомов Ва, которые приводят к образованию 
донорных уровней. Таким образом, при бомбардировке ионами Ва
+
с Е
0
= 1кэВ на 
поверхности пленок МоО
3
образуется нестехиометрические оксиды Ва - О, Мо - Ва- О 
и Мо-О толщиной ~ 35-40Ǻ. Установлено, что эмиссионная эффективность этих слоев 
меньше, чем эмиссионная эффективность слоев чистого МоО
3
.
Несмотря на это, после ионной имплантации значения σm и Υ существенно 
увеличиваются, что объясняется уменьшением еφ за счет образования на поверхности 
0,3-0,4 монослоя ВаО. При имплантации Ва
+
в Мо в атмосфере кислорода на 
поверхности Мо формировались 5-6 монослоев ВаО с некоторым содержанием 
нестехиометрических оксидов бария и несвязанных атомов бария. Поверхностные 
атомы Ва резко уменьшают еφ пленки ВаО. Кроме того, эмиссионная эффективность 
слоев ВаО значительно больше, чем у Мо. Все это приводит к увеличению σm в ~5 раз 
и Υ- в 50 раз. После прогрева при Т 900К еφ уменьшается до 1,6 эВ, что приводит к 
существенному росту σm и Υ.