Conference Paper

Литература: 
1. Timerkaeva D., Caliste D., Deutsch T., Pochet P. Oxygen in silicon: Switch in the 
diffusion-mediated mechanism // Phys. Rev. 2017. B 96, 195306. 
2. Zainabidinov S.Z., Musaev K.N., Turgunov N.A., Turaev A.R. Dopant 
microassociation mechanisms in Si and Si // Inorganic Materials. 2012. Vol. 48. 
Issue 11. pp. 1065-1069.
3. Зайнабидинов С.З., Курбанов А.О. Кластеры атомов примеси никеля и их 
влияние на рекомбинационные свойства кремния. Вестник МГТУ им. Н.Э.Баумана. 
Сер. Естественные науки, 2019, №2, с. 81-93.
4. Zainabidinov S.Z. and Turgunov N.A. Formation and kinetics of decomposition of 
impurity nickel precipitates in silicon // Russian Physics Journal. 2004. Vol. 47. №12. pp. 
1307-1309.
ИЗУЧЕНИЕ ВЛИЯНИИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ВА
+
 НА ЭМИССИОННЫЕ И 
ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОПЛЕНОК МОО
3
/МО. 
Умирзаков Б.Е., Аллаярова Г.Х.,Шукурова А. 
Ташкентский государственный технический университет им. Ислама Каримова, 
100095 Ташкент, Узбекистан. 
E-mail: allayarova5030@mail..ru 
 
Пленки оксидов тугоплавких металлов и систем на их основе широко 
используются в различных областях электронной промышленности, в частности 
солнечной энергетике. В настоящее время хорошо изучены воздействия температуры 
ионного травления облучения мощного ионного пучка и др. на фазовые переходы 
металл – изолятор, магнитные свойства и переключения памяти, оптические и 
электрические свойства оксидов молибдена. Данная работа посвящена изучению 
состава, кристаллической и электронной структуры, эмиссионных и оптических 
свойств Мо и MoO
3
, имплантированных низкоэнергетическими ионами Ba+ в 
сочетании с отжигом. Мишенями являлись монокристаллический Мо (111) и 
поликристаллическая пленка MoO
3 
с толщиной ~ 600 Å, полученная окислением 
монокристаллического Mo (111) в атмосфере кислорода при температуре 850 К. 
Имплантация проводилась ионами Ba
+
с энергиями от 0,5 до 5 keV при дозе насыщения 
D=D
нас
=(8-10)

10
16
сm
-2
. 
В таблице приведены зонно-энергетические параметры, максимальное значение 
коэффициента ВЭЭ σ
m
и значение квантового выхода фотоэлектронов Υ для 
МоО
3
/Мо(111) имплантированного ионами Ва
+
с Е
0
= 1кэВ при D = 10
17
см
-2
, а так же 
для Мо(111), имплантированного ионами. Ва
+
с Е
0
= 1кэВ при D = 10
17
см
-2 
в атмосфере 
кислорода с 
=5 10-3 Па, где Еv- потолок валентной зоны, Е
F
- уровень Ферми, Еg- 
ширина запрещенной зоны, ϰ- сродство к электрону. 
Из таблицы видно, что после ионной имплантации все исследуемые 
характеристики МоО
3 
и Мо резко изменяются. Результаты ОЭС показали, что эти 
изменения в случае МоО
3
, в основном, обусловлены образованием в приповерхностном 
слое нестехиометрических оксидов Мо-О, Ва- Мо- О и Ва-О, оценочные концентрации 
которых составляют 25-30 ат.%, 40-45 ат.%, 30-35 ат.% соответственно. Такой состав 

---

Техник ва технологик фанлар со
ҳ
аларининг инновацион масалалари. ТДТУ ТФ 2020 
265 
до глубины 30-40 Ǻ существенно не меняется. В этих оксидах содержатся различного 
рода дефекты, связанные с наличием несвязанных атомов О, Ва и Мо. Поэтому среднее 
значение Еg и эмиссионная эффективность ионно-имплантированного слоя МоО
3
будет несколько ниже, чем у чистого МоО
3
. Рост σ
m
и Υ, в основном, объясняется 
уменьшением еφ, которое обусловлено покрытием поверхности оксидом бария с 
толщиной ~ 0,3-0,4 монослоя. 
Зонно-энергетические параметры, значения σ
m 
и Υ ионно – имплантированных 
образцов МоО
3 
и Мо(111) 
Таблица 1