Академия наук республики узбекистан

Целью исследования 
является разработка моносилановой технологии 
получения поликристаллического кремния и ионно
-
стимулированных 
методов для создания кремниевых структур.
З
адачи исследования
:
разработка эффективной технология синтеза алкоксисиланов путем 
исключения или минимизации индукционного периода прямой реакции 
металлургического кремния и этилового спирта;
поиск путей непрерывной активации реакционной среды при синтезе 
алкоксисиланов и исключение накопления в реакционной зоне 
нежелательных примесей, которые могут выступить катализаторами 
побочных реакций;
разработка метода приготовления катализатора для процесса 
диспропорционирования триэтоксисилана на основе доступных материалов; 
разработка моносилановой технологии получения поликрис
-
таллического кремния на основе алкоксисиланового процесса;
53 

---

разработка и создание
экспериментальной установки для практической 
реализации моносилановой технологии получения поликристаллического 
кремния;
разработка способа разделения и контроля потока заряженных частиц, 
позволяющего использование
ионов, генерированных
при электронно
-
лучевом испарении,
для контроля и управления процессами на ростовой 
поверхности;
изучение процессов легирования слоев кремния в условиях низко
-
энергетического ионного облучения во время роста;
исследование возможности управления релаксацией механических 
напряжений в сверхтонких гетероструктурах кремний
-
германия с исполь
-
зованием ионов кремния
во время роста; 
изучение процессов образования монокристаллических наноостровков 
высокой плотности и малых размеров с использованием ионов при 
молекулярно
-
лучевой эпитаксии, а также определение оптимальных условий 
для достижения максимальной плотности и минимального размера нано
-
островков;
исследование тепловольтаических свойств
кремниевых плёночных 
p-n
структур, полученных ионно
-
стимулированным вакуумным осаждением;
изучение возможности создания ионно
-
стимулированным методом 
промежуточных слоев для корректировки теплобарьерных покрытий
.