Академия наук республики узбекистан

Соответствие 
исследования 
приоритетным 
направлениям 
развития науки и технологий республики.
Исследование выполнено в 
соответствии
с
приоритетными
направлениями
развития науки и технологий 
республики: 
II. 
«Энергетика, энерго
- 
и ресурсосбережение» и 
III. 
«Развитие и 
использование возобновляемых источников энергии».
Обзор международных научных исследований по теме диссертации 
в виде научного доклада
4
. 
По разработке
 
новых моносилановых технологий 
производства поликристаллического кремния и по усовершенствованию 
свойств кремниевых структур, используя ионно
-
стимулированные методы,
ведутся
широкомасштабные исследования
во многих научных центрах мира, 
в том числе R
&D 
центрах компаний, таких как GCL Poly Energy (КНР), 
Wacker Chemie
и
SiTec Applied Research
(Германия), OCI (Южная
Корея), 
Hemlock Semiconductor Corporation (США), REC Silicon (Норвегия
-
США), 
SunEdiso
n inc. 
(США), а также
в Carnegie Mellon University
и Iowa State 
University 
(США), 
Laboratoire de Génie Chimique
UMR CNRS
(Франция),
4
Обзор международных научных исследований по теме диссертации
в виде научного доклада
выполнен 
на основе Ch
. 
Roselund
“SunEdison begins production of electronic grade polys
ilicon using fluidized bed reactor 
technology”. PV magazine,
10/2014,
http://www.pv
-
magazine.com;
Jens Ulltveit-
Moe. REC Silicon 
– Nordic 
Energy Summit 2016, Oslo, 17 March 2016, http://hugin.info/136555/R/1995001/734790.pdf; Ch. Roselund
“
The 
slow grind 
of FBR polysilicon” PV magazine, 09/2015, pp.89
-
91, www.pv
-
magazine.com; Ran Fu, Ted L. James, 
and Michael Woodhouse. Economic Measurements of Polysilicon for the Photovoltaic Industry: Market 
Competition and Manufacturing Competitiveness IEEE Journal of photovoltaics, Vol. 5, No. 2, 2015, pp.515
-
524; 
Wataru Shindo, Tadahiro Ohmi. Ion energy, ion flux, and ion mass effects on low
-
temperature silicon epitaxy using 
low-energy ion bombardment process. 
J. Appl. Phys. 
79 
(5), 1996, pp. 2347
-
2351; S. N. Chebotarev et al. Features 
in the Formation of Ge/Si Multilayer Nanostructures under Ion Beam Assisted Crystallization Technical Physics 
Letters, 2013, Vol. 39, No. 8, pp. 726
–
729; А
.
С
. 
Пащенко
и
др
.
 
Особенности
легирования
сурьмой
в
процессе
ионно
-
лучевой
кристаллизации
кремния
. 
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 4, с.553
-
556; 
T.S. Perova 
et al. 
Strain, composition and crystalline perfection in thin SiGe layers studied by Raman 
spectroscopy. Thin Solid Films, v.517 (2008) pp.265
–
268; 
D. Appy, H. Lei, Y. Han, C. Wang, M. C. Tringides, D. 
Shao, E. J. Kwolek, J. W. Evans, P. A. Thiel. Determining whether metals nucleate homogeneously on graphite: A 
case study with copper. Phys.Rev.B.90.195406 (2014); Novel Silicon Based Technologies
. 
By editors:
Rolan
d
 
Levy
, Springer, (2012), DOI 10.1007/978
-94-011-3430-9 
и
других
источников
.
50 

---

Tohoku University (Япония), University Stuttgart (Германия),
University of 
Basel (Швейцария),
Dutch Institute For Fundamental Energy Research
(Нидерландия), Telemark University
(Норвегия), в Московском 
государственном университете, в Казанском федеральном университете, в 
Нижегородском государственном университете, в Томском государственном 
университете и в Институте физики полупроводников (Россия), в 
Национальном техническом университете (Украина), в Институте ион
-
плазменных и лазерных технологий и в Ташкентском государственном 
техническом университете
(Узбекистан)
.
В мире по разработке моносилановых технологий производства 
поликристаллического кремния, а также по формированию сложных 
гетероструктур и других кремниевых структур с применением ионно
- 
стимулированных методов получен
ряд результатов, в том числе следующие: 
разработан вибрационный реактор кипящего слоя, работающий при высоком 
давлении и низких температурах (SiTec Applied Research, Германия); 
достигнуто
резкое сокращение расхода энергии при производстве 
гранулированного поликристаллического кремния в реакторе кипящего слоя 
(REC Silicon, США); разработан способ получения в реакторе кипящего слоя 
грунулированного поликремния электронного качества из моносилана 
(SunEdison inc.,
США); уменьшено напряжение кремниевых структур при 
молекулярно
-
лучевой эпитаксии (МЛЭ) путем ионной стимуляции и 
управления ростовых процессов и сформирован интерметаллический слой с 
повышенной твердостью при ионно
-
активированом электронно
-
лучевом 
физическом осаждении пара (Stuttgart University, Германия); определена
эффективность воздействия ионной составляющей
на процессы 
зародышеобразования
при степени ионизации потока от 
10
-4 
(Iowa State 
University, АҚШ);
исследованы
физические
процессы, имеющие
место при 
ионном облучении поверхности роста легированных широким спектром 
примесей слоев кремния в методе молекулярно
-
лучевой эпитаксии, а также 
разработаны
физические
основы
примесного легирования слоев кремния и 
слоев твердого раствора кремний
-
германий в условиях низкоэнергетического 
ионного облучения
(Нижегородский государственный университет,
Россия).
На сегодняшный день по разработке новых эффективных технологий 
синтеза моносилана, а также ионно
-
стимулированных методов создания 
структур на основе полупроводников и металлов проводится ряд 
исследований, в том числе по следующим направлениям: снижение 
удельного расхода энергии при получении гранулированного кремния из 
моносилана в реакторе кипящего слоя; разработка экологически 
безопасностных и высокоэффективных моносилановых технологий; 
исследование ионно
-
стимулированного
зародышеобразования
металлов на 
поверхности графена; формирование пассивирующего слоя
ионно
-
стимулированным методом из моносилана для структур высокоэффективных 
солнечных элементов на основе кремния 
п
-
типа.