|
пп\
рр+
— эпитаксиал катлам солиштирма каршилиги ни аник
лашда нуктавий диод хосил килувчи зондга вольфрам,
Ом контактлари хосил килувчи зондларга пулат лезвия
кулланилган. Зондга босим кучи 1 г дан 10 г гача узгар-
ганда даражалаш графиги
и„ш = rE
m
[2 -
ijr (3ee0^ipEma + г
)2 ] (1.120)
назарий муносабат билан аникланиши кузатилган. Бу ерда:
£'1тек=210 кВ/см;
е=
16;
г=
13 мкм
\ц
— харакатчанлик. Сир-
ти охирги боскичда 5гЯ/'+8гЯЛг0 3+15г
СНъСООН
— кис-
лоталар аралашмасида кимёвий сайкалланган, солиштир
ма каршилиги турт зондди усул билан улчанган германий
намуналари ёрдамида даражалаш графиги олинган.
р
15%
гача хатолик билан улчанган бу усулнинг хатолиги, дара
жалаш графигини олишдаги хатоликлардан иборатдир.
Арсенид галийли
пп\ рр+
эпитаксиал структураларда кат-
ламнинг солиштирма каршилигини, монокристалл наму
налар солиштирма каршилигини улчаш учун диаметри 3
мм булган карбид вольфрам таёкчадан учи 30° бурчак ос-
тида, диаметри 225 мкм гача чархланган зонд ишлати-
либ, унга куйилган босим кучи 200 дина булган холда
олинган даражалаш графиги намунада заряд ташувчилар
нинг концентрацияси 1015ли кда узгарганда
п
— тип
GaAs
учун £/теш=100(л/1015) ' 0-372
р
— тип
GaAs
учун £/еш=75(/>/1015)"0’338
билан аникданиши курсатилган. Даражалаш графиги 6
тадан Холл контакти олинган ва улар оркали
п, р
— аник-
ланган намуналар ёрдамида аникданган.
Усулнинг хатоликлари тугрисида кискача тухт'аламиз.
Усулнинг асосий хатоликлари икки омил билан теши
лиш кучланишини улчашдаги ва эталон хамда текшири-
ладиган намуналар сиртининг ишлови бир хил булмас-
лигидан хосил булган хатоликлар билан аникланади.
Uma
ни аник улчаш учун ВАХ нинг тешилиш сохасидаги бу-
70
рилиши кескин булиши керак. Бунга зонд, яримутказгич
материалларини, зондлар шаклини, унга куйилган босим
кучини танлаш билан эришилади. Потенциал гусик х,осил
килган контактнинг каршилиги катта булиши керак. Зонд
лар учи диаметри 25-ь 100 мкм ораликда булади, Зондга
куйилган босим ошиши билан
р
камаяди. Босим кучи
ортганда, зонд учларининг эластик ва пластик деформа-
цияланиши туфайли, уларнинг контакт юзаси катталаша-
ди ва натижада тешилиш кучланишининг камайишига олиб
келади. Зонд контакт юзаларининг такрорланмаслиги би
лан боглик тасодифий хатоликларни камайтириш учун
потенциал тусик хосил киладиган зонд-катгик металл ёки
каттик котишмалар, масалан, вольфрам, карбид-вольф
рам, пулат, осмий, родийлар ишлатилади.
Улчаш ва даражалаш пайтида зондларга куйилган бо
сим кучлари бир хил килиб олинади: окибатда, улчов на-
гижаларининг бир-бирига яхши якинлашиши таъминла-
нади. Улчов зондига (нуктавий диодга) куйилган
отпи-
мал
кучланиш 0,2-^0,4 Н оралигида ётади, ёрдамчи контакт
Каршилигининг
Ь'кш
га таъсирини камайтириш учун уларга
Куйилган босим кучи 0,5 дан 1 Н гача орттирилади, улчаш
пайтида потенциал тусик со\асида 1 Вт гача кувват ажра-
лиши мумкин ва у контакт со\асининг кучли кизишига
олиб келиши мумкин. Шунинг учун тешилиш кучлани
шининг киймати улчаш усулига боглик Контактда ажра-
ладиган кувватни камайтириш учун улчовни импульс ре-
жимда утказиш тавсия этилади. Импульс давомийлиги-
нинг камайиши билан
UT
ортади. Тасодифий ва мунтазам
хатоликлар эталон намуналар билан текшириладиган на
муналар сиртининг ишловига боюшк. Одатда даражалаш
1
рафиги пластина шаклидаги монокристалл намуналарда
утказилади, шунинг учун уларнинг сирти механик ёки
кимёвий усул билан сайкалланади, эпитаксиал катламда
эса сирт \еч кандай ишловдан утмайди. Эталон намуна
сиртини эпитаксиал катлам сиртига якинлаштириш учун
//С/ бугида едириш тавсия этилади, бу билан эталондаги
сирт ишлов технология жараёни эпитаксиал каглам усти-
риш жараёнига якинлаштирилади.
Тажрибада кузатилган даражалаш графигини ифодалов-
чи (1.117) формулада коэффициент (
b
) нинг 0,51 дан 0,66
71
гача узгариши улчаш натижаларига таъсир кдлувчи куп
омиллар билан тушунтирилади, шунинг учун усулнинг
хатолиги тукридан-тугри
р
ни улчаш усулларига нисбатан
катта. Купгина муаллифларнинг курсатишларича, у 10%
дан 70% гача етади. Статистик текширишлардан маълум
булишича, усулнинг тасодифий хатолиги ишонч э\тимол-
лиги 0,95% булганда солиштирма к,аршилигир=0,1 Ом • см
намуналарда 54%, р = 1,0 О м 'см учун 40%,
р=5
О м 'с м
учун эса 70% га тенг.
Do'stlaringiz bilan baham: |
