Радиоэлектроника асослари муҳаррир — Қ. Азимов

4.8-расм. Текклозчя Г — симон (а) ва П — симон (б) фильтрлар.


Иккала ҳолда ҳам индуктизлик ғалтаги — дрос­сель (Др) дан токнинг ўзгармас ташкил этувчиси кам қаршиликка учраган ҳолда ўтади. Конденсаторлар эса, ўзгармас токни ўтказмайди. Натижада R_н резисторда ўзгармас кучланиш ҳосил бўлади. Унинг ўзгаришсиз қолиши учун токнинг ўзгарувчан ташкил этувчиси дросселда ютилиб қолиб, R_н нагрузкада кучланиш тушувини ҳосил қилмаслиги керак. Бу ҳол дроссель қаршилиги конденсатор қаршилигидан жуда катта бўлганда содир бўлади:
ва (4.11а)
Бунда ω_н—ўзгарувчан ташкил этувчиларнинг энг кичик частотаси. Бу шарт бажарилганда ўзгарувчан ташкил этувчилар асосан индуктивлик ғалтагида энг кўп потенциал тушувини ҳосил қилади ва унинг жуда оз қисми конденсаторга тўғри келади.
Демак, текисловчи фильтр ўзгарувчан ташкил этув- чиларга нисбатан кучланиш бўлгичи вазифасини ба- жарар экан.
«П-симон» фильтрлар (4.8б-расм) нинг ишлаши «Г-симон» фильтрларникидан фарқ қилади. Лекин қулайлик учун уни икки босқичли фильтрлаш деб қа- раш мумкин. Биринчи босқичда С₁ конденсатор нагруз­ка резисторига параллель уланган конденсатор (4.5-расм) каби ишласа, иккинчи босқич—« Г — симон» фильтрни ташкил этади. Шунинг учун (4.11 а) тенгсизлик қуйидагича ифодаланиши керак:
ва (4.116)
Кўпинча «П — симон» фильтрларда С₁ = С₂ = С қилиб олинади.
Демак, «П-симон» фильтрлар «Г-симон» фильтр- ларга қараганда сифатлироқдир. Лекин тўғрилагич элементида токнинг кескин ўзгаришлари кузатиладиган бўлса, «П-симон» фильтрдан фойдаланиш мумкин эмас. Чунки C₁ сиғим токни ўтказиб юборади. Бундай ҳолларда фақат «Г-симон» фильтр ишлатилади.
Юқори кучланишли (4—5 кВ дан ортиқ) қурилма- ларда ва айрим кичик кучланишли қурилмаларда дрос­сель ўрнига резистор ишлатилади. Шунда тўғрилагич схемаси соддалашиб, унинг оғирлиги камаяди.