Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani



Download 16,58 Mb.
Pdf ko'rish
bet413/570
Sana16.06.2022
Hajmi16,58 Mb.
#677720
1   ...   409   410   411   412   413   414   415   416   ...   570
Bog'liq
ТГТУ II-межд конф Хайдаров Элтазаров Эргашев Абдукаримов Курбонов Турсунов Гаибназаров Курбонов Алимова

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
471 
быть описана двумя, последовательно сменяющими друг друга 
экспоненциальными зависимостями типа (3) в интервале напряжений от 0.05 
до 0.25 В и от 0.3 до 0.6 В. Для определения двух параметров 
А
мы 
перестроили эти участи ВАХ в полулогарифмическом масштабе (рис. 1 b и 
с).
-2,4 -1,6 -0,8 0,0
0,8
1,6
2,4
-20
0
20
40
60
80
20
О
С
40
О
С
80
О
С
120
О
С
I
, м
A
V
, B
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
e
-4
e
-3
e
-2
e
-1
e
0
20
О
С
40
О
С
80
О
С
120
О
С
I
, мA
V
, B
0,3
0,4
0,5
0,6
e
0
e
1
e
2
20
О
С
40
О
С
80
О
С
120
О
С
V
, B
I
, м
A
а 

с 
Рис. 1. Вольтамперная характеристика p-Si

n-(ZnSe)
1-x-y
(Si
2
)
x
(GaP)
y
гетероструктуры при различных температурах (а), ее прямая ветвь в 
полулогарифмическом масштабе в интервале напряжений от 0.05 до 0.25 В 
(b) и от 0.3 до 0.6 В (с). 
Обработка ВАХ показывает, что 
А
не меняется в первом участке (от 
0.05 до 0.25В) в интервале температур от 20 до 120
o
C и можно определить 
параметр 
А
1
=13.6 эВ
-1
и полуширину полосы размытия примесного уровня 
1/
α
= 0.15 эВ. На втором участке (от 0.3 до 0.6 В) (рис. 1. с) обработка ВАХ 
показывает параметр 
А
2
=5.79 эВ
-1
и полуширину полосы размытия 
примесного уровня 1/
α
=0.34 эВ. Полученные данные, по-видимому, 
свидетельствуют об образовании двух глубоких размытых энергетических 
уровней в запрещенной зоне 
n
-(ZnSe)
1-x-y
(Si
2
)
x
(GaP)

гетероструктуры. С 
дальнейшим ростом тока экспоненциальные зависимости типа (3) сменяется 
степенными зависимостями типа
m
BV
I

, с разными значениями показателя 
степени 
m
. На участке от 1.2 до 2.37 В показатель 
m
уменьшается от 1.6 до 
1.3 с ростом температуры (рис. 1). Следует подчеркнуть, что для реализации 
эффекта инжекционного, обеднения необходим целый ряд условий, главное 
из которых возникновение в базе 



n
n
p
структуры (или её аналога со 
схожей зонной диаграммой) встречных направлений амбиполярных 
диффузии и дрейфа. На первый взгляд кажется, что в 
p-n
-структуре с 
омическим тыловым контактом это невозможно. Однако, следует помнить, 
что у нас варизонный полупроводник, ширина запрешонной зоны в котором 
сильно изменяется вдоль 
n
-базы (примерно от 
E
g(Si)
-1.1эВ до 
E
g(ZnSe)
-2.7эВ). В 
этом случае любое внешнее воздействие (инжекция, температура, свет и т.д.) 
приведет к возникновению градиента концентрации 
dx
dp
/
>0, необходимого 



Download 16,58 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   409   410   411   412   413   414   415   416   ...   570




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish