Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
466 
Таким образом, эти результаты подтверждают, что действительно 
полученные ВАХ структур р
+ 
- р(Si+
связаны токами ограниченного 
пространственного заряда (ТОПЗ) . Согласно теории ТОПЗ вольт-амперная 
характеристика должна состоять из трех участков - первый при низких 
напряжениях удовлетворяет закону Ома, второй описывается квадратичным 
законом, а третий - вертикальный участок. Как видно из рис.1, в исследуемых 
наших структурах все эти три участка присутствуют. Температурная 
зависимость ВАХ комнатной и близкой к комнатной температуры имеет 
аналогичный вид, как и на рис.1. 
В отличие от существующих [1-4] обнаруженные автоколебания тока в 
структурах р
+ 
- р(Si) - p
+
обладают большим значением амплитуды I
max 
= 400 mA и частотой 10
-3
-10
5
Гц, отличаются своей стабильностью, также в 
этих же образцах наблюдаются автоколебания типа РВ около комнатной 
температуры и ТЭН при слабом освещении как интегральным, так и 
монохроматическим светом в температурном интервале Т=(77-180) К. 
Поэтому исследования инжекционных автоколебаний тока в структурах р
+ 
- 
р(Si) - p
+
вызывают определенный интерес для создания единой модели 
неустойчивости тока в кремнии, так же показывает возможность создания 
твердотельных генераторов, работающих в широком интервале температур, 
освещенности и в других условиях со значением амплитуды I=(10
-5
-3
.
10
-1
) А, 
частотой f=(10
-3
-10
5
) Гц со 

100% коэффициентом модуляции. Как было
показано при исследованиях ВАХ в структурах р
+ 
- р(Si) - p
+
, в 
определенных значениях напряженности электрического поля возбуждаются 
инжекционные автоколебания тока, которые связаны с монополярной 
инжекцией дырок. Исследования показали, что автоколебания возбуждаются, 
после вертикального роста ВАХ при Т=300 К в темноте. Установлено, что 
перед автоколебаниями тока, в некотором значении напряженности 
электрического поля наблюдаются хаотические колебания, которые в 
дальнейшем приводят к стабильным автоколебаниям тока. Исследования 
показали, что автоколебания в структурах р
+ 
- р(Si) - p
+
наблюдаются 
при комнатной температуре в темноте, с удельным сопротивлением базовой 
области от 

б 

5
.
10
2
Ом
.
см. При этом установлено, что в некотором 
напряженностях электрического поля, в цепи возбуждается инжекционная 
неустойчивость тока звуковой частоты с различными формами, рис.2. Форму 
автоколебаний можно изменять в широком интервале с помощью подаваемой 
напряженности электрического поля, что дает возможность управлять 
параметрами автоколебания. Зависимости условия возбуждения и 
параметров инжекционных автоколебаний тока от напряженности 
электрического 
поля 
в 
структурах 
р
+
-р(Si)-p
+
, 
удельным 
сопротивлением базы 

б 
= 2
.
10
3
Ом
.
см показали, что колебания начинаются 
при напряжении U
n
=18 В. Как видно из рис.3 амплитуда автоколебания с 
ростом напряженности электрического поля увеличивается от I=3 mA, 

---