Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
467 
пороговая частота f=5
.
10
2 
Гц. При определенных значениях напряженности 
электрического поля происходит срыв автоколебания тока. Изменение 
параметров инжекционных неустойчивостей с удельным сопротивлением 
базы 

б 
= 2
.
10
3
Ом
.
см в структурах р
+ 
- р(Si) - p
+
типа, измеренных в 
темноте и при комнатной температуре показано на рис. 4. 
Рис.2. Фотоснимки различных форм автоколебаний.
Как видно, колебания начинаются при напряжении U > U
n 

18 В 
амплитуда с ростом напряженности электрического поля увеличивается от I 
= 3 мА до I = 30 мА, частота тоже имеет тенденцию увеличения f = 500 Гц до 
f = 3
.
10
4
Гц и при напряженности U=50 В приходит к насыщению, а также к 
незначительному уменьшению частоты в определенных значениях 
напряженности поля приводит к срыву неустойчивости, т.е. происходит 
затухание автоколебания, что связано с нагревом структуры и изменением 
параметров материала.
Исследования показали, что автоколебания тока в структурах р
+ 
- 
р(Si) - p
+
в отличие от обнаруженных в других материалах, а также от 
других механизмов автоколебаний, как температурно-электрические 
неустойчивости тока, рекомбинационные волны (2) или других 
автоколебаний отличается не только большой амплитудой, частотой и 
возникновением при комнатной температуре и не требуется дополнительное 
освещение материала как монохроматическим, так и интегральным светом не 
требуется охлаждение материала, а также пороговое напряжение 
возникновения неустойчивости невысокое. Для исследования влияния 
степени компенсации базовой области структур р
+ 
- р(Si) - p
+
на основе 
Si на условия возбуждения и параметры инжекционных автоколебаний 
тока исследованы структуры р
+ 
- р(Si) - p
+
типа с различными 
удельными сопротивлениями базовой области

б 
= 10
2
Ом
.
см; 10
3
Ом
.
см; 10
4 

---