Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
466
Таким образом, эти результаты подтверждают, что действительно
полученные ВАХ структур р
+
- р(Si+
связаны токами ограниченного
пространственного заряда (ТОПЗ) . Согласно теории ТОПЗ вольт-амперная
характеристика должна состоять из трех участков - первый при низких
напряжениях удовлетворяет закону Ома, второй описывается квадратичным
законом, а третий - вертикальный участок. Как видно из рис.1, в исследуемых
наших структурах все эти три участка присутствуют. Температурная
зависимость ВАХ комнатной и близкой к комнатной температуры имеет
аналогичный вид, как и на рис.1.
В отличие от существующих [1-4] обнаруженные автоколебания тока в
структурах р
+
- р(Si) - p
+
обладают большим значением амплитуды I
max
= 400 mA и частотой 10
-3
-10
5
Гц, отличаются своей стабильностью, также в
этих же образцах наблюдаются автоколебания типа РВ около комнатной
температуры и ТЭН при слабом освещении как интегральным, так и
монохроматическим светом в температурном интервале Т=(77-180) К.
Поэтому исследования инжекционных автоколебаний тока в структурах р
+
-
р(Si) - p
+
вызывают определенный интерес для создания единой модели
неустойчивости тока в кремнии, так же показывает возможность создания
твердотельных генераторов, работающих в широком интервале температур,
освещенности и в других условиях со значением амплитуды I=(10
-5
-3
.
10
-1
) А,
частотой f=(10
-3
-10
5
) Гц со
100% коэффициентом модуляции. Как было
показано при исследованиях ВАХ в структурах р
+
- р(Si) - p
+
, в
определенных значениях напряженности электрического поля возбуждаются
инжекционные автоколебания тока, которые связаны с монополярной
инжекцией дырок. Исследования показали, что автоколебания возбуждаются,
после вертикального роста ВАХ при Т=300 К в темноте. Установлено, что
перед автоколебаниями тока, в некотором значении напряженности
электрического поля наблюдаются хаотические колебания, которые в
дальнейшем приводят к стабильным автоколебаниям тока. Исследования
показали, что автоколебания в структурах р
+
- р(Si) - p
+
наблюдаются
при комнатной температуре в темноте, с удельным сопротивлением базовой
области от
б
5
.
10
2
Ом
.
см. При этом установлено, что в некотором
напряженностях электрического поля, в цепи возбуждается инжекционная
неустойчивость тока звуковой частоты с различными формами, рис.2. Форму
автоколебаний можно изменять в широком интервале с помощью подаваемой
напряженности электрического поля, что дает возможность управлять
параметрами автоколебания. Зависимости условия возбуждения и
параметров инжекционных автоколебаний тока от напряженности
электрического
поля
в
структурах
р
+
-р(Si)-p
+
,
удельным
сопротивлением базы
б
= 2
.
10
3
Ом
.
см показали, что колебания начинаются
при напряжении U
n
=18 В. Как видно из рис.3 амплитуда автоколебания с
ростом напряженности электрического поля увеличивается от I=3 mA,
Do'stlaringiz bilan baham: |