Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
464 
Рис.1. Cпектральная зависимость Al
2
O
3
полученная методом 
порошкового дифрактометра . Приведены индексы Миллера (hkl), а также 
межплоскостное расстояние (d
hkl
) . 
Таблица 1.
На таблице 1. приведено процентная доля кристаллической и аморфной 
части данного образца Al
2
O
3
.
 
Литература 
1.
Металлы и сплавы. Справочник / под ред. Ю. П. Солнцева. — СПб.: НПО 
«Профессионал», НПО «Мир и семья», 2003. 
2.
Хмельницкий, Р. А
.
Современные методы исследования агрономических 
объектов. — М. : Высшая школа, 1981. — С. 61. 
3.
Г.С.Жданов, 
А.С.Илюшин, 
С.В.Никитина 
//Дифракционный 
и 
резонансный структурный анализ. // Москва «Наука». 1980. 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
465 
ИНЖЕКЦИОННЫЕ АВТОКОЛЕБАНИЯ ТОКА В СТРУКТУРАХ 
р
+ 
- р(Si) - p
+ 
ПОЛУЧЕННЫХ ПО
 
НОВОЙ
ДИФФУЗИОННОЙ ТЕХНОЛОГИИ 
 
Аюпов К.С., Зикриллаев Х.Ф., Валиев С.А. 
Ташкентский государственный технический университет, 
 Узбекистан,100095 Ташкент, ул. университетская 2. 
 
Как известно, исследование инжекционных токов в полупроводниках 
может дать очень ценную и полезную информацию о локальных 
энергетических уровнях в запрещенной зоне и природе этих уровней, а 
также о механизме токопрохождения и об электрических контактах. 
Локальное состояние определяют не только величину изменения тока 
вследствии локализации носителей заряда но и форму вольт - амперной 
характеристики (ВАХ). 
Зная основные значения инжекционных параметров структуры, можно 
иденфицироват инжекционные процессы среди сходных явлений по их 
проявлению ВАХ конкретизировать характер инжекции, а также составит 
некоторые количественные представление об локальных состояниях. 
В высокоомных полупроводниках показана возможность появления в 
ВАХ отрицательного сопротивления после таких материалах наблюдали 
различные электрические колебания, обнаружены гистерезис в ВАХ и ряд 
других явлений. 
Как известно в полупроводниках с многозарядными центрами сечения 
захвата основных носителей тока возрастает с ростом энергии в следствии 
уменьшения кулоновского отталкивания, что приводит к уменьшению 
концентрации свободных носителей с ростом приложенного напряжения и в 
следствии появляется в ВАХ отрицательного сопротивления N типа.
Рис. 1 ВАХ в р
+
- р(Si) - р
+
структур

б
=10
3
Ом

см, при 300 К,
в темноте. 

---