Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
468 
Ом
.
см; 10
5
Ом
.
см с различными коэффициентами дырочной проводимости, а 
также 

б
=10
5
Ом
.
см; 10
4 
Ом
.
см; 10
3
Ом
.
см с электронной проводимостью. Все 
исследуемые структуры были идентичными с одинаковыми размерами. 
Рис. 5.3. Зависимость амплитуды и часоты нжекционных 
автоколебаний от напряженности электрического поля. 
Все измерения проводились при комнатной температуре Т=300 К и при 
отсутствии освещения. Каждый раз для определения значения порогового 
поля 
возбуждения 
неустойчивости 
измерялись 
вольт-амперная 
характеристика структур, в некотором значении электрического поля E
п
, где 
начинались автоколебания тока, это значение принималось за пороговое 
поле. Таким образом измерялись все параметры автоколебаний для 
различных образцов. На рис.3 приведена зависимость порогового поля 
возбуждения неустойчивости и пороговой частоты автоколебаний от степени 
компенсации базовой области структуры. Установлено, что с ростом 
удельного сопротивления в образцах Si пороговое поле увеличивается 
около 8 раз, а пороговая частота f
n
растет намного быстрее и составляет 
около 100 раз при увеличении удельного сопротивления базы 

б
от 4
.
10
2
Ом
.
см до 2
.
10
5
Ом
.
см. 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
469 
Рис. 4 Зависимость амплитуды и часоты инжекционных 
автоколебаний от удельного сопротивления
Определена область существования автоколебания в зависимости от 
степени легирования базовой области структуры дырочной проводимостью 
р
+ 
- р(Si) - p
+

б
от 4
.
10
2
Ом
.
см до 2
.
10
5
Ом
.
см наблюдаются 
неустойчивости тока, при конверсии типа проводимости базовой области 
автоколебания не наблюдаются. 
Таким образом управляя величиной удельного сопротивления 
базовой области в структурах р
+ 
- р(Si) - p
+
можно генерировать в них 
автоколебания тока с воспроизводимыми амплитудой и частотой в темноте 
при Т = (250-350) К. Так же показаны новые возможности в практическом 
применении этих автоколебаний тока для создания на их основе 
унифицированных полупроводниковых генераторов [5] и датчиков 
различного назначения. 
ЛИТЕРАТУРА 
1.
Расулова Г.К., Брунков Н.П., Жуков А.Е., Устинов В.М. Высшие 
гармоники колебаний тока в слабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs. 
Физика и техника полупроводников. 2006, выпуск 7, стр. 846-849. 
2.
Джандиери К.М., Качлишвили З.С., Строганов А.Б. Динамический 
хаос в частично освещенном компенсированном полупроводнике в условиях 
примесного электрического пробоя. Физика и техника полупроводников.
2005, выпуск 6, стр. 673-676. 
3.
Железовский Б.Е., Кальянов Э.В. Управление колебаниями 
автостохастической системы. Письма в журнал технической физики. 2000, 
выпуск 22,  стр. 58-60.
4.
А.В.Антонов, В.И.Гавриленко и др. «Осцилляции тока при 
латеральном транспорте в гетероструктурах GaAs/InGaAs с квантовыми 
ямами» ФТП, 2005, том 39, вып 1, стр. 53-58. 
5.
Аюпов К.С., Бахадырханов М.К., Зикриллаев Н.Ф.., Бобонов Д.Т. 
“Твердотельный генератор звуковой частоты”. Патент IАP 20090298 
/Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал мулк агентлиги. Расмий 
ахборотномаси, 2011. №5.С.27-28.