Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
471 
быть описана двумя, последовательно сменяющими друг друга 
экспоненциальными зависимостями типа (3) в интервале напряжений от 0.05 
до 0.25 В и от 0.3 до 0.6 В. Для определения двух параметров 
А
мы 
перестроили эти участи ВАХ в полулогарифмическом масштабе (рис. 1 b и 
с).
-2,4 -1,6 -0,8 0,0
0,8
1,6
2,4
-20
0
20
40
60
80
20
О
С
40
О
С
80
О
С
120
О
С
I
, м
A
V
, B
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
e
-4
e
-3
e
-2
e
-1
e
0
20
О
С
40
О
С
80
О
С
120
О
С
I
, мA
V
, B
0,3
0,4
0,5
0,6
e
0
e
1
e
2
20
О
С
40
О
С
80
О
С
120
О
С
V
, B
I
, м
A
а 
b 
с 
Рис. 1. Вольтамперная характеристика p-Si

n-(ZnSe)
1-x-y
(Si
2
)
x
(GaP)
y
гетероструктуры при различных температурах (а), ее прямая ветвь в 
полулогарифмическом масштабе в интервале напряжений от 0.05 до 0.25 В 
(b) и от 0.3 до 0.6 В (с). 
Обработка ВАХ показывает, что 
А
не меняется в первом участке (от 
0.05 до 0.25В) в интервале температур от 20 до 120
o
C и можно определить 
параметр 
А
1
=13.6 эВ
-1
и полуширину полосы размытия примесного уровня 
1/
α
= 0.15 эВ. На втором участке (от 0.3 до 0.6 В) (рис. 1. с) обработка ВАХ 
показывает параметр 
А
2
=5.79 эВ
-1
и полуширину полосы размытия 
примесного уровня 1/
α
=0.34 эВ. Полученные данные, по-видимому, 
свидетельствуют об образовании двух глубоких размытых энергетических 
уровней в запрещенной зоне 
n
-(ZnSe)
1-x-y
(Si
2
)
x
(GaP)
y 
гетероструктуры. С 
дальнейшим ростом тока экспоненциальные зависимости типа (3) сменяется 
степенными зависимостями типа
m
BV
I

, с разными значениями показателя 
степени 
m
. На участке от 1.2 до 2.37 В показатель 
m
уменьшается от 1.6 до 
1.3 с ростом температуры (рис. 1). Следует подчеркнуть, что для реализации 
эффекта инжекционного, обеднения необходим целый ряд условий, главное 
из которых возникновение в базе 



n
n
p
структуры (или её аналога со 
схожей зонной диаграммой) встречных направлений амбиполярных 
диффузии и дрейфа. На первый взгляд кажется, что в 
p-n
-структуре с 
омическим тыловым контактом это невозможно. Однако, следует помнить, 
что у нас варизонный полупроводник, ширина запрешонной зоны в котором 
сильно изменяется вдоль 
n
-базы (примерно от 
E
g(Si)
-1.1эВ до 
E
g(ZnSe)
-2.7эВ). В 
этом случае любое внешнее воздействие (инжекция, температура, свет и т.д.) 
приведет к возникновению градиента концентрации 
dx
dp
/
>0, необходимого 

---