Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
474 
1
0
2
3
3
2
)
(
exp
)
(
1
æ
3
4




















x
d
x
x
x
x
T
k
e
Z
l
B
H




. (4) 
Здесь 
T
k
E
x
B
2
k


, 
2
)
(
2
k

l
m
E
H



- средняя кинетическая энергия 
электро- на в магнитном поле на длине свободного пробега 

l
, æ - 
диэлектрическая проницаемость полупроводника. Интеграл в (4) может быть 
выражен через интегральный логарифм:
)
(
1
)
(
exp
0
2



x
L
x
x
d
x
x
x
x






, (5) 
где 


)
(
i
E
)
(
exp
1
)
(




x
x
x
x
L



.
Пользуясь разложением в ряд и асимптотическим выражением для 



x
-
i
E
, можно показать, что







2
2
1
)
(
x
x
x
L
, (
1


x
), (6) 




x
x
x
L
ln
1
)
(


, (
1


x
). (7) 
Подставляя асимптотические разложения (6) и (7) в (4), получаем 
оценки: 


T
k
E
T
k
e
Z
l
B
B
H
k
3
3
2
1
æ
3
4










, (
T
k
E
B

2
k
) (8) 


3
3
2
1
æ
3
4
T
k
e
Z
l
B
H










, (
T
k
E
B

2
k
). (9) 
Как и следовало ожидать, «слабое» 
H
- поле практически не влияет на 
темп каскадного захвата, тогда как «сильное» меняет темп самого захвата. 
Следует подчеркнуть, что понятие «сильного» и «слабого» 
H
- поля имеет 
условный характер. Так для чистого германия подвижность электронов сос- 
тавляет при 300 K 


3000 см
2
/В·сек. Поле напряженностью 10
4
Гс будет 
приблизительно удовлетворять неравенству 
T
k
E
B

k
. При 10 K подвижность 
электронов того же германия будет (10
4 
-10
5
) см
2
/В·сек, и то же самое 
H
- по- 
ле в 10
4
Гс будет «сильным». В этом смысле, предельные формулы (8) и (9) 
не являются строго полевыми.
Влияние квантующего 
H
- поле [5] на динамику каскадного захвата 
носителя заряда требует отдельного рассмотрения.
 
 
 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
475 
Литература 
1.
 
Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безызлучательная 
рекомбина-
ция в полупроводниках. 1997. 376 с.
2. Каган В.Д. Кинетическая теория процессов ионизации и захвата 
электрона заряженной примесью в полупроводнике // ФТТ. 2005. Т. 47, № 2. 
С. 210-216. 
3. Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В. Динамика каскадного захвата 
электронов на заряженные доноры в GaAs и InP // ЖЭТФ. 2016. Т. 150, № 
2(8). С. 328-336. 
4. Велиев З.А. Концентрация электронов во внешних полях в 
полупровод- никах с заряженными дислокациями // ФТП. 1998. Т. 33, № 11. 
С. 1300-1302. 
5. Банная В.Ф., Никитина Е.В. Влияние квантового магнитного поля на 
разогрев носителей заряда в чистом Ge // ФТП. 2019. Т. 53, № 1. С. 13-17. 
 
 
СОЗДАНИЯ ФОТОПРИЁМНИКА ИНФРАКРАСНОГО 
ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО 
АТОМАМИ СЕЛЕНА 
 
О.Б Турсунов, Г.А. Кушиев. 
Ташкентский государственный технический университет, 
Узбекистан, 100095 Ташкент, ул. университетская 2.
Тел:[phone], E-mail: [e-mail] 
:
 
 
Фотоприемники ИК излучения диапазона 10 - 2,5 мкм востребованы 
преимущественно в качестве матричных телевизионных устройств для 
создания фотоприёмников [1].
В матрицах, работающих на собственном внутреннем фотоэффекте 
применяются такие материалы как: ZnS, PbSe, ZnSe, InSb, (CdHg)Te и др [1-
2]. Однако создание высокоразрешающих матриц непосредственно на основе 
этих материалов практически невозможно, так как требуется их стыковка с 
кремниевыми усилительными и управляющими элементами. В то же время 
возможности кремния для создания фотоприемников на основе примесного 
фотоэффекта далеко не исчерпаны [3]. В показана возможность создания 
фотоприемника в ИК диапазоне до 2,5 мкм с квантовым выходом 10%. Этот 
фотоприёмник создан на основе кремния, легированного селена по 
технологии, совместимой с технологией интегральных микросхем [4].
Это 
позволяет 
надеяться 
на 
возможность 
создания 
высокоразрешающих 
монолитных 
полупроводниковых 
матричных 
приемников на основе кремниевых материалов. 

---