Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
472 
для реализации эффекта инжекционного обеднения. Однако, с ростом уровня 
инжекции вклад «квазиэлектрических» полей 
dx
x
dE
C
/
)
(
и 
dx
x
dE
V
/
)
(
становится 
всё 
менее 
существенным, 
поскольку 
они 
остаются 
неизмененными. Это может привести к нарушению равновесия между 
амбиполярными диффузией и дрейфа и появлению новой ВАХ степенного 
типа [2,3]. 
kT
V
J


1
2
~
(4) 
Такая ВАХ качественно хорошо объясняет смену показателя 
m 
от 1.6 
до 1.3 на экспериментальных кривых рис. 1 (a) с ростом температуры 
показатель уменьшатся.
Таким образом, проведенное исследование показывает наличие 
температурно независимого участка ВАХ у 
ом
ом
R
n
p
R



гетероструктуры, 
созданной на основе многокомпонентного твердого раствора замещения 
n-
(ZnSe)
1-x-y
(Si
2
)
x
(GaP)
y
, который по-видимому обусловлен существованием 
двух «размытых» примесных уровней (0.15 эВ и 0.34эВ) в запрещенной зоне 
твердого раствора 
n-
(ZnSe)
1-x-y
(Si
2
)
x
(GaP)
y.
 
ЛИТЕРАТУРА 
1.
Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи 
двойной инжекции в полупроводниках. М., Сов. Радио, 1978, 320 с.
2.
Leiderman A.Yu. Phys. St. Sol. (a), 1979. 55. 991.
3.
Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Фоточувствительность 
полупроводниковых структур с глубокими примесями. 1981. Ташкент, изд. 
«Фан», 200 с.