Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani


Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar



Download 16,58 Mb.
Pdf ko'rish
bet219/570
Sana16.06.2022
Hajmi16,58 Mb.
#677720
1   ...   215   216   217   218   219   220   221   222   ...   570
Bog'liq
ТГТУ II-межд конф Хайдаров Элтазаров Эргашев Абдукаримов Курбонов Турсунов Гаибназаров Курбонов Алимова

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
243 
Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2006. 
Вып. 1-2. С.29-37. 
[5] S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices. – John Wiley 
& Sons, 2007. – 815 p. 
 
 
ПРИМЕНЕНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДЛЯ
ПОЛУЧЕНИЯ МДП- И ПДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ Si 
 
Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Толипова Ш.А.,
Гулямова С.Т., Абраева С.Т., Одилов С. 
Ташкентский Государственный Технический Университет, 100095, ул. 
Университетская, 2, Ташкент, Узбекистан 
 
В настоящее время наноразмерные структуры и слои на основе Si, Ge и 
их оксидов имеют перспективы в создании приборов нано- и 
оптоэлектроники. В частности, гетероструктуры SiO
2
/Si с различными 
нановключениями служат основой при разработке новых видов 
высокочастотных 
транзисторов, 
интегральных 
схем, 
оптических 
преобразователей и солнечных элементов [1, 2]. Данная работа посвящена 
получению скрытых слоев SiO
2
в приповерхностной области Si 
бомбардировкой ионами 
и определению их состава, размеров, структуры 
и ширины запрещенной зоны. 
Рис. 1. Изменение интенсивности оже-пика О по глубине для Si, 
имплантированного ионами 
с Е
0
= 30 кэВ: 1 – до отжига, 2 – после отжига 
при Т = 900 К в течении 30 мин. 


Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
244 
Для определения профиля распределения атомов по глубине 
проводился послойный оже-анализ путем распыления поверхности образца 
ионами Ar
+
с E
0
= 1 keV при угле падения ~ 80 – 85

относительно нормали 
со скоростью (3 

1) Å/min. Погрешность измерений при определении 
концентрации атомов составляла 5 – 8 at.%. 
Для получения скрытых слоев SiO
2
в приповерхностной области Si 
образцы Si, имплантировались ионами 
c E
0
≥ 10 кэВ. На рис. 1 приведены 
зависимости интенсивности оже-пика O (508 эВ) от глубины для Si, 
имплантированного ионами 
с Е
0
= 30 кэВ при D = D
нас.
= 10
17
см
-2
до и 
после прогрева при Т = 850 К. После прогрева I
0
в области максимума 
существенно увеличивается, а полуширина кривой I
0
(n) уменьшается и 
составляет 

8 – 10 нм. Анализ показал, что в этой области Si концентрация 
кислорода составляет 65 – 70 ат.%, т.е. образуется слой с приблизительным 
составом SiO
2
. Таким образом, формируется система типа Si – SiO
2
– Si. 
На рис. 2 приведен схематический разрез системы Si – SiO
2
– Si построенной 
на основе рис. 1. Видно, что толщина для SiO
2
составляет 

8 – 10 нм, 
толщина переходного слоя - 4 – 5 нм. Таким образом, в данном случае 
формируется система типа ПДП. 
Для получения системы типа MeSi
2
/SiO
2
/Si гетероструктуры SiO
2
/Si 
имплантировались ионами Ме (Ba, Na или Co) с Е
0
= 1 – 2 кэВ, затем 
проводился лазерный + высокотемпературный прогрев.
Рис. 2. Схематический разрез системы Si/SiO
2
/Si, полученного после 
прогрева при Т = 850 К кремния имплантированного ионами 
с Е
0
= 30 кэВ 
при D = 2

10
17
см
-2

Для пленки SiO
2
толщиной 200 Å. При этом поверхностная 
концентрация Ba составляла 50 – 55 ат.%, а Si – 40 – 45 ат.%, т.е. после 



Download 16,58 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   215   216   217   218   219   220   221   222   ...   570




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish