Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
241 
Из экспериментальных зависимостей прямого тока от напряжения, 
типичного для ряда измеренных структур, приведенных на рис. 1а, видно, 
что падения прямого напряжения в них до размещения и после установки в 
корпуса для рабочих токов до 10 мА имеют близкие значения порядка 0.8 В. 
В дальнейшем, после гамма облучения и размещения диодных структур в 
корпуса, значения 
U
пр.
уменьшаются на 10%. 
Наблюдаемое уменьшение падения напряжения (в результате гамма 
облучения дозой свыше 
Ф
γ
 =5·10
16
 см
-2
) для заданного тока 10 
мА
от 0.8В до 
0.74В можно объяснить образованием радиационных центров, как и в случае 
облучения, быстрыми электронами дозой 
(2÷8)·10
16
см
–2
, силовых диодов и 
pin
-структур [4], которые приводят к изменению градиента концентрации 
основных носителей.
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
3
2
U
пр.
, В
J
пр.
, A/см
2
1
а)
1
10
100
1000
10
-8
10
-7
10