Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
U
обр.
, В
J
обр.
, A/см
2
3
2
1
б)
Рис.1. Зависимости прямого тока от напряжения в 





n
nn
р
-
структуры при прямом (а) и обратном (б) смещении: 1-исходная; 2-
установлен в корпус; 3-после облучения
Как видно из рис. 1a
,
в полулогарифмическом масштабе зависимость 
плотности тока от напряжения в режиме прямого смещения самого кристалла 
- диода (кривая 1) имеет один участок. После установки в корпус в области 
низких напряжений т.е. на начальном участке появляется незначительное 
различие который, по-видимому, связан с влиянием дополнительных токов 
через стекло образующего переход металл-диэлектрик-металл. 
После воздействия гамма облучения (рис.1a, кривая 3) наклон кривой 
практически остается неизменным, однако ток насыщения возрастает. При 
этом зависимости плотности тока от напряжения для кривых (рис.1a, кривые 
1,2 и 3) описываются экспоненциальной зависимостью с коэффициентом 
неидеальности (
m
) равным 1.28, что соответствует преобладанию 
диффузионного механизма токопереноса [5].
Что касается зависимости плотности обратного тока от напряжения 
исследуемых диодов, следует отметить, что после размещения в корпус 
диодных структур величины пробойного напряжения практически остаются 
неизменными, рис.1б. При этом в предпробойной области появляются токи 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar