Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
242 
утечки с линейной зависимостью тока от напряжения, кривая 2. Однако
,
после радиационного облучения гамма-квантами напряжение пробоя 
уменьшается. Уменьшение напряжения пробоя с 
202 В до 188 В
можно 
объяснить увеличением градиента концентрации основных носителей. 
Следует отметить, что вывод анода заключен между металлическим 
корпусом через изолятор и образует переход металл-изолятор-металл, 
который оказывается параллельно включенным к выпрямляющему 
p-n
-
переходу структуры диода. 
Вместе с тем, появление дополнительного участка с показателем 
степени равным 8 и уменьшение напряжения пробоя можно связать с 
пробойными явлениями через радиационно-обработанный изолятор, в 
данном случае возможен микроплазменный пробой в изоляторе, рис.1б. 
Такая тенденция наблюдается во всех исследованных структурах. Откуда 
следует, что радиационную обработку диодных структур целесообразно 
проводить до установки в корпус. 
В результате проведенных исследований установлено, что в 
кремниевой диодной 





n
nn
р
-структуре
,
подвергнутой гамма облучению 
дозой 
5·10
16
см
-2
, падения прямого напряжения уменьшаются до 
10%
за счет 
пре-имущественным уменьшением времени жизни неосновных носителей 
при незначительным изменением градиента примесей. Шунтирование 
p-n
-
перехода диодной структуры переходом металл-изолятор-металл приводит к 
незначительному снижению напряжения пробоя, а после радиационного 
воздействия пробойным явлениям в изоляторе.
Литературы 
[1] А.З. Рахматов, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов Исследование 
характеристических 
параметров 
диффузионных 
областей 
кремния 
легированных бором и фосфором // Узбекский физический журнал. – 
Ташкент, 2008. –vol.10. – № 3. –С.189-195. 
[2] Филатов М.Ю., Роговский Е.С., Колмакова Т.П., Меженный М.В., 
Дренин A.C. Исследование и устранение причин брака при производстве 
мощных кремниевых pin диодов. // Электронная техника. Серия 2: 
Полупроводниковые приборы. 2012. №2. С.77-86. 
[3] N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, M.I. Tarasik, S.V. Shpakovski, V.A. 
Filipenia, V.A. Skuratov, A.Wieck, T.N. Kołtunowicz. Effects of fluences of 
irradiation with 107 MeV krypton ions on the recovery charge of silicon p
+
n-
diodes // Acta Physical Polonica A.2011. Vol.120, №1. P. 111–114. 
[4] Е.А.Ладыгин, М.П.Коновалов, М.Н.Орлова, М.В.Ручкин, П.Б.Лагов, 
А.М. Сурма. Повышение быстродействия и радиационной стойкости 
силовых 
кремниевых 
диодов 
с 
применением 
радиационного 
технологического процесса // Вопросы атомной науки и техники. Сер. 

---