Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

2020
, 28, 629–638 
ВЛИЯНИЕ ГАММА ОБЛУЧЕНИЯ НА ПРЯМОЕ ПАДЕНИЕ 
НАПРЯЖЕНИЯ И ОБРАТНЫЕ ТОКИ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОГО ДИОДА
СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ 
 
Кулиев Ш.М., Рахматов А.З., Истамов Д.Б.,
Абдулхаев О.А., Ёдгорова Д.М. 
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнца» АН РуЗ
100084, г. Ташкент, ул. Ч. Айтматов 2 “Б”; e-mail:
[e-mail] 
В данной работе приводятся результаты исследования влияния 
радиационной 
обработки 
на 
рабочие 
параметры 
выпрямительно-
ограничительных и выпрямляющих диодов полученных диффузионно-
эпитаксиальной технологией, путем диффузии алюминия, бора и фосфора 
[1]. Производственный технологический процесс включает много операций, 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
240 
в результате чего, параметры получаемых диодных структур имеют 
некоторый разброс. Оптимизация их рабочих параметров требует проведения 
определенной 
радиационно-термической 
обработки 
влияющих 
на 
статические и динамические характеристики, которые определяют 
механизмы формирования токовых и переходных характеристик диодных 
структур в зависимости от конструкции и конкретной структуры. В 
исследуемых диодах, в пределах возможностей, снижают 
н

и время 
восстановления обратного тока, для чего проводят дополнительные 
технологические операции по сохранению низких значений 
U
пр.
, времени 
восстановления обратного тока. В частности, с целью повышения 
быстродействия 
силового 
диода 
его 
подвергают 
радиационному 
воздействию, в результате которого в их базовой области создаются 
радиационные дефекты - центры рекомбинации, большинство из которых 
оказываются устойчивыми. Для устранения неустойчивых радиационных 
дефектов проводят термический отжиг, что позволяет повысить 
быстродействие силовых диодов. Для конкретных типов диодов подбирая 
оптимальную температуру (
650÷670 К
) и время экспозиции термического 
отжига получают требуемые значения быстродействия [2].
Однако при этом возможны существенные изменения их 
вольтамперных характеристик. Так, по мере увеличения интегрального 
потока радиационного облучения происходит изменение временных 
характеристик диода в сторону уменьшения 
н

и, при неоптимальных 
режимах облучения, нежелательное увеличение 
пр
U
в 
p-n
-переходе [3]. 
В данном параграфе рассматриваются зависимости 
U
пр.
и обратных 
токов кремниевой диодной 





n
nn
р
-
структуры в металлостеклянном 
корпусе от радиационного воздействия. Готовые структуры, подвергнутые 
радиационному воздействию имели минимальный разброс по основным 
параметрам до воздействия радиации:
U
пр.
(U
F
)=(0.75÷0.8)V
при прямом 
импульсном токе (
I
F
)
= 1A, обратный ток (
I
R
)
~ (0.5÷0.7) мкА при обратном 
напряжении (
U
R
)
= 200 В. Вышеуказанные значения этих параметров 
соответствуют средним значениям, наблюдаемым в процессе массового 
произ-водства диодов. Каждому уровню радиационного воздействия 
(например, до 
2·10
16
 и 5·10 
16
см
-2
) подвергалась группа диодов в количестве 
10 шт (в каждой группе по 5 диодов).
Производили измерение вольтамперных характеристик, подвергнутых 
радиационному воздействию, откуда определяли прямые падения 
напряжения и обратные токи. Режимы измерения этих параметров 
соответствовали режимам измерения напряжения пробоя и величины 
U
пр.
, 
указанным в ГОСТе в 18986.3, т.е. с погрешностью, не превышающей 3%, а 
величины обратного тока 
Ir 
– в ГОСТе 18986.1, т.е. с погрешностью, не более 
10%.

---